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PT5529B/L2-F

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Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

638-PT5529BL2F

Herst.- Nr.:

PT5529B/L2-F

Herst.:

Everlight

Beschreibung:

Fototransistoren IR Phototransistor

Datenblatt:

PT5529B/L2-F Datenblatt

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Hersteller:	Everlight
Produktkategorie:	Fototransistoren
Versandbeschränkungen:	Mouser verkauft dieses Produkt nicht in Ihre Region.
RoHS:
Produkt:	Phototransistors
Verpackung/Gehäuse:	Side View
Montageart:	Through Hole
Maximaler Dauerkollektorstrom:	20 mA
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.:	30 V
Überschlagsspannung Kollektor-Emitter:	30 V
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter:	400 mV
Dunkelstrom:	100 nA
Anstiegszeit:	15 us
Abfallzeit:	15 us
Pd - Verlustleistung:	75 mW
Minimale Betriebstemperatur:	- 25 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 85 C
Marke:	Everlight
Produkt-Typ:	Phototransistors
Verpackung ab Werk:	1000
Unterkategorie:	Optical Detectors & Sensors
Typ:	Side Face Silicon Phototransistor
Wellenlänge:	940 nm
Artikel # Aliases:	325529J004

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Datenblatt

PT5529B/L2-F Datenblatt

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Konformitätscodes

CNHTS:: 8541410000
CAHTS:: 8541410000
USHTS:: 8541410000
JPHTS:: 8541400103
TARIC:: 8536699099
MXHTS:: 8541410100
BRHTS:: 85414011
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: China
Herstellungsland:: Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:: Nicht lieferbar

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

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Herst.: Everlight

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