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IXFH170N15X3

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

747-IXFH170N15X3

Herst.- Nr.:

IXFH170N15X3

Herst.:

IXYS

Beschreibung:

MOSFETs DiscMSFT NChUltrJnctn X3Class TO-247AD

Lebenszyklus:

abgekündigt

Datenblatt:

IXFH170N15X3 Datenblatt

ECAD Model:

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Versandmeldung:

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Hersteller:	IXYS
Produktkategorie:	MOSFETs
Versandbeschränkungen:	Mouser verkauft dieses Produkt nicht in Ihre Region.
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-247-3
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	150 V
Id - Drain-Gleichstrom:	170 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	6.7 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2.5 V
Qg - Gate-Ladung:	122 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	520 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	HiPerFET
Verpackung:	Tube
Marke:	IXYS
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	14 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	54 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	30 ns
Verpackung ab Werk:	30
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	90 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	30 ns
Gewicht pro Stück:	6 g

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Datenblatt

IXFH170N15X3 Datenblatt

PCN

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Konformitätscodes

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: Korea, Republik von
Herstellungsland:: Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:: Nicht lieferbar

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

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