IXFH6N100

Name: IXYS IXFH6N100
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFH6N100
Price: 10.09 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

747-IXFH6N100

Herst.- Nr.:

IXFH6N100

Herst.:

IXYS

Lebenszyklus:

NRND:

Nicht empfohlen für neue Designs.

Datenblatt:

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

Lagerbestand:: 149 sofort lieferbar

Ein unerwarteter Fehler ist aufgetreten. Bitte versuchen Sie es später noch einmal.

Bestellmengen größer als 149 können einer Mindestbestellmenge unterliegen.

Menge eingeben:

Minimum: 1 Vielfache: 1

Stückpreis:

CHF -.--

Erw. Preis:

CHF -.--

Vorauss. Zolltarif:

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	IXYS
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-247-3
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	1 kV
Id - Drain-Gleichstrom:	6 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	2 Ohms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	4.5 V
Qg - Gate-Ladung:	88 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	180 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	HyperFET
Verpackung:	Tube
Marke:	IXYS
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	60 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	6 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	40 ns
Serie:	HiPerFET
Verpackung ab Werk:	30
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	100 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	35 ns
Gewicht pro Stück:	6 g