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IXFN34N100

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

747-IXFN34N100

Herst.- Nr.:

IXFN34N100

Herst.:

IXYS

Beschreibung:

MOSFET-Module 34 Amps 1000V 0.28 Rds

Lebenszyklus:

abgekündigt

Datenblatt:

IXFN34N100 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Versandmeldung:

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Hersteller:	IXYS
Produktkategorie:	MOSFET-Module
Versandbeschränkungen:	Mouser verkauft dieses Produkt nicht in Ihre Region.
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	Screw Mount
Verpackung/Gehäuse:	SOT-227-4
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	1 kV
Id - Drain-Gleichstrom:	34 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	280 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, + 20 V
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	700 W
Serie:	IXFN34N100
Verpackung:	Tube
Marke:	IXYS
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	30 ns
Höhe:	9.6 mm
Länge:	38.2 mm
Produkt-Typ:	MOSFET Modules
Anstiegszeit:	65 ns
Verpackung ab Werk:	10
Unterkategorie:	Discrete and Power Modules
Handelsname:	HyperFET
Regelabschaltverzögerungszeit:	110 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	41 ns
Breite:	25.07 mm
Gewicht pro Stück:	30 g

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Ausgewählte Attribute: 0

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Datenblatt

IXFN34N100 Datenblatt (PDF)

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Konformitätscodes

CNHTS:: 8541590000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: Nicht lieferbar
Herstellungsland:: Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:: Nicht lieferbar

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

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