BSC080N12LSGATMA1

726-BSC080N12LSGATMA
BSC080N12LSGATMA1

Herst.:

Beschreibung:
MOSFETs TRENCH >=100V

Lebenszyklus:
End-of-Life-Produkt :
Gilt als veraltet und wurde vom Hersteller abgekündigt
ECAD Model:
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Möglicher Ersatz

Infineon Technologies ISC073N12LM6ATMA1
Infineon Technologies
MOSFETs IFX FET >100-150V

Produktattribut Attributwert Attribut auswählen
Infineon
Produktkategorie: MOSFETs
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
TDSON-8
N-Channel
1 Channel
120 V
99 A
8 mOhms
- 20 V, 20 V
2.4 V
79 nC
- 55 C
+ 150 C
156 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
Marke: Infineon Technologies
Abfallzeit: 13 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.: 60 S
Produkt-Typ: MOSFETs
Anstiegszeit: 9 ns
Verpackung ab Werk: 5000
Unterkategorie: Transistors
Transistorart: 1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit: 37 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit: 11 ns
Artikel # Aliases: BSC080N12LS G SP002256844
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Ausgewählte Attribute: 0

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Konformitätscodes
CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99
Ursprungsklassifikationen
Ursprungsland:
Malaysia
Herstellungsland:
Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:
Nicht lieferbar
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