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MPQ18913GRPE-AEC1-P

Name: Monolithic Power Systems (MPS) MPQ18913GRPE-AEC1-P
Brand: Monolithic Power Systems (MPS)
SKU: 946-MPQ18913GRPE1P
Price: 1.83 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

946-MPQ18913GRPE1P

Herst.- Nr.:

MPQ18913GRPE-AEC1-P

Herst.:

Monolithic Power Systems (MPS)

Beschreibung:

Gate-Treiber 30V, 0.3A, High-Frequency Transformer Driver for Automotive Applications, AEC-Q100

Lebenszyklus:

Neues Produkt:

Neu von diesem Hersteller.

Datenblatt:

MPQ18913GRPE-AEC1-P Datenblatt

ECAD Model:

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Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 500)
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	CHF 0.977	CHF 977.00
	CHF 0.92	CHF 2’300.00
	CHF 0.904	CHF 4’520.00

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Monolithic Power Systems (MPS)
Produktkategorie:	Gate-Treiber
RoHS:
Produkt:	Half-Bridge Drivers
Typ:	Full-Bridge
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	QFN-10
Anzahl der Treiber:	1 Driver
Anzahl der Ausgänge:	1 Output
Ausgangsstrom:	300 mA
Versorgungsspannung - Min.:	5 V
Versorgungsspannung - Max.:	30 V
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Serie:	MPQ18913
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	Monolithic Power Systems (MPS)
Entwicklungs-Kit:	EVQ18913-D-01A
Kenndaten und Eigenschaften:	Over Current Protection
Eingangsspannung – Max:	30 V
Eingangsspannung – Min:	5 V
Betriebsversorgungsstrom:	9.5 mA
Pd - Verlustleistung:	2.5 W
Produkt-Typ:	Gate Drivers
Abschaltung:	Shutdown
Verpackung ab Werk:	500
Unterkategorie:	PMIC - Power Management ICs
Technologie:	SiC

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Datenblatt

MPQ18913GRPE-AEC1-P Datenblatt

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Konformitätscodes

USHTS:: 8542390090
MXHTS:: 8542399999
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: China
Herstellungsland:: Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:: Nicht lieferbar

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

MPQ18913 High-Frequency Transformer Driver

Monolithic Power Systems (MPS) MPQ18913 High-Frequency Transformer Driver is ideal for use as the primary-side MOSFET in isolated power supplies for biasing silicon carbide (SiC) field-effect transistors (FETs), silicon FETs, and insulated gate bipolar transistors (IGBTs). The MPQ18913 simplifies an isolated biased supply’s design by integrating the control, switching power stage, and protection circuitry in one device. This typology supports designs with a high isolation voltage and small interwinding capacitance.