H6200NLT

Pulse Electronics
673-H6200NLT
H6200NLT

Herst.:

Beschreibung:
Audio-Transformatoren / Signal-Transformatoren MDL, DUAL,1GPP, 1:1, BGA SMD T&R

ECAD Model:
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Pulse
Produktkategorie: Audio-Transformatoren / Signal-Transformatoren
RoHS:  
LAN Transformers
Module
SMD/SMT
1 MHz to 125 MHz
120 uH, 350 uH
1.5 kV
0 C
+ 70 C
2 Channel
1000 Base-T
BGA
14.73 mm
17.27 mm
11.18 mm
H6200NLT
Reel
Marke: Pulse Electronics
Nennstrom: 8 mA
Maximaler Gleichstrom (DC): 600 mA
Maximaler DC-Widerstand: 650 mOhms
Betriebstemperaturbereich: 0 C to + 70 C
Produkt-Typ: Audio & Signal Transformers
Abschirmung: Unshielded
Verpackung ab Werk: 170
Unterkategorie: Transformers
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Ausgewählte Attribute: 0

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Konformitätscodes
USHTS:
8517790000
TARIC:
8504312990
ECCN:
EAR99
Ursprungsklassifikationen
Ursprungsland:
China
Herstellungsland:
Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:
Nicht lieferbar
Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

1 Gigabit PoE-/PoE+-SMD-Transformatoren mit hoher Dichte

Die 1 Gigabit PoE-/PoE+-SMD-Transformatoren mit hoher Dichte von Pulse Electronics bieten weniger als 140 mm2/Anschlussdichte und verfügen über ein zuverlässiges oberflächenmontierbares Ball-Grid-Array (BGA). Diese Transformatoren unterstützen 4-Paar PoE+ (70 W) DC-Leistung und sind so konzipiert, dass sie hinter 2xN-Anschlüsse passen. Die 1 Gigabit PoE-/PoE+-SMD-Transformatoren bieten eine 10/100/1000base-T-Konnektivität und eine modulare Bauweise, die IEEE802.3u/ab übersteigt. Diese Transformatoren arbeiten über einen Temperaturbereich von -40 °C bis 85 °C.