RF4E080GNTR

ROHM Semiconductor
755-RF4E080GNTR
RF4E080GNTR

Herst.:

Beschreibung:
MOSFETs 4.5V Drive Nch MOSFET

Datenblatt:
ECAD Model:
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Preis (CHF)

Menge Stückpreis
Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ †
CHF 0.579 CHF 0.58
CHF 0.354 CHF 3.54
CHF 0.232 CHF 23.20
CHF 0.177 CHF 88.50
CHF 0.157 CHF 157.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
CHF 0.141 CHF 423.00
CHF 0.124 CHF 744.00
CHF 0.118 CHF 1’062.00
† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von CHF 7.00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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ROHM Semiconductor
Produktkategorie: MOSFETs
RoHS:  
Reel
Cut Tape
MouseReel
RF4E080GN
- 55 C
+ 150 C
Si
Marke: ROHM Semiconductor
Kanalmodus: Enhancement
Konfiguration: Single
Abfallzeit: 2.4 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.: 5 S
Id - Drain-Gleichstrom: 8 A
Montageart: SMD/SMT
Anzahl der Kanäle: 1 Channel
Verpackung/Gehäuse: DFN-2020-8
Pd - Verlustleistung: 2 W
Produkt-Typ: MOSFETs
Qg - Gate-Ladung: 5.8 nC
Rds On - Drain-Source-Widerstand: 17.6 mOhms
Anstiegszeit: 3.6 ns
Verpackung ab Werk: 3000
Unterkategorie: Transistors
Transistorpolung: N-Channel
Transistorart: 1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit: 17.3 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit: 6.9 ns
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung: 30 V
Vgs - Gate-Source-Spannung: - 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung: 2.5 V
Artikel # Aliases: RF4E080GN
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Datenblatt

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Specification Sheets

SPICE Models

Technical Resources

Test/Quality Data

Konformitätscodes
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99
Ursprungsklassifikationen
Ursprungsland:
Thailand
Herstellungsland:
Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:
Nicht lieferbar
Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

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