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SH8K1TB1

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

755-SH8K1TB1

Herst.- Nr.:

SH8K1TB1

Herst.:

ROHM Semiconductor

Beschreibung:

MOSFETs Nch+Nch 30V 5A MOSFET

Lebenszyklus:

NRND:

Nicht empfohlen für neue Designs.

ECAD Model:

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

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Hersteller:	ROHM Semiconductor
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	SOP-8
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	2 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	30 V
Id - Drain-Gleichstrom:	5 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	36 mOhms
Qg - Gate-Ladung:	3.9 nC
Pd - Verlustleistung:	2 W
Verpackung:	Reel
Marke:	ROHM Semiconductor
Konfiguration:	Dual
Produkt-Typ:	MOSFETs
Verpackung ab Werk:	2500
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	2 N-Channel
Gewicht pro Stück:	83 mg

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Ausgewählte Attribute: 0

Konformitätscodes

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: China
Herstellungsland:: Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:: Nicht lieferbar

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

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