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TP65H035G4WS

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

227-TP65H035G4WS

Herst.- Nr.:

TP65H035G4WS

Herst.:

Renesas Electronics

Beschreibung:

GaN FETs 650V, 35mOhm

Lebenszyklus:

Beschränkte Verfügbarkeit:

Diese Teilenummer ist derzeit nicht bei Mouser erhältlich. Das Produkt wird eventuell eingeschränkt vertrieben oder es handelt sich um eine Sonderbestellung ab Werk.

Datenblatt:

TP65H035G4WS Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Versandmeldung:

Mouser verkauft dieses Produkt nicht in Ihre Region.

Verfügbarkeit

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Hersteller:	Renesas Electronics
Produktkategorie:	GaN FETs
Versandbeschränkungen:	Mouser verkauft dieses Produkt nicht in Ihre Region.
RoHS:
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-247-3
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	650 V
Id - Drain-Gleichstrom:	46.5 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	41 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, + 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	4.8 V
Qg - Gate-Ladung:	22 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	156 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	SuperGaN
Marke:	Renesas Electronics
Abfallzeit:	10 ns
Verpackung:	Tube
Produkt-Typ:	GaN FETs
Anstiegszeit:	10 ns
Serie:	Gen IV SuperGaN
Verpackung ab Werk:	30
Unterkategorie:	Transistors
Technologie:	GaN
Regelabschaltverzögerungszeit:	94 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	60 ns
Gewicht pro Stück:	6 g

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Datenblatt

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RoHS Certificate (PDF)

Konformitätscodes

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: Philippinen
Herstellungsland:: Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:: Nicht lieferbar

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

SuperGaN™ FETs Gen IV

Die SuperGaN-FETs Gen IV von Transphorm sind normalerweise ausgeschaltete Bauteile, die brückenlose AC/DC-Totem-Pole-PFC-Designs ermöglichen. Diese FETs verfügen über einen Hochspannungs-GaN-High-Electron-Mobility-Transistor (HEMT) mit einem Niederspannungs-Silizium-MOSFET und bieten eine hervorragende Zuverlässigkeit und Leistungsfähigkeit. Die SuperGaN™ Gen IV-Plattform wird mit fortschrittlicher Epi und patentierten Design-Technologien geliefert, die die Fertigung vereinfachen. Diese Designtechnologie verbessert den Wirkungsgrad über Silizium mit einer niedrigen Gate-Ladung, Ausgangskapazität, Crossover-Verlust und Sperrverzögerungsladung. Diese FETs Gen IV sind in zwei Ausführungen verfügbar, wie z. B. TP65H035G4WS mit einem 3-Pin-TO-247-Gehäuse und TP65H300G4LSG mit einem 8x8 PQFN-Gehäuse.

650V GaN FETs in TO-247 Packages

Renesas Electronics 650V GaN FETs in TO-247 Packages combine state-of-the-art high-voltage GaN HEMT and low-voltage silicon MOSFET technologies. The devices offer superior reliability and performance with improved efficiency over silicon. Renesas Electronics FETs have a lower gate charge, lower crossover loss, and a smaller reverse recovery charge.