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SCT055H65G3AG

Name: STMicroelectronics SCT055H65G3AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-SCT055H65G3AG
Price: 4.54 CHF
Availability: OutOfStock

Mouser-Nr.:

511-SCT055H65G3AG

Herst.- Nr.:

SCT055H65G3AG

Herst.:

STMicroelectronics

Beschreibung:

SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A

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Datenblatt:

SCT055H65G3AG Datenblatt (PDF)

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Hersteller:	STMicroelectronics
Produktkategorie:	SiC-MOSFETs
RoHS:
Qualifikation:	AEC-Q100
Marke:	STMicroelectronics
Verpackung:	Reel
Produkt-Typ:	SiC MOSFETS
Verpackung ab Werk:	1000
Unterkategorie:	Transistors

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Datenblatt

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Konformitätscodes

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: Nicht lieferbar
Herstellungsland:: Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:: Nicht lieferbar

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFETs

Die MOSFETs von STMicroelectronics (SiC) verfügen über einen sehr niedrigen RDS(on)-Bereich für eine Nennspannung von 1200 V kombiniert mit einem ausgezeichneten Schaltungsverhalten. Dadurch können effizientere und kompaktere System entwickelt werden. Sie verfügen über ein verbessertes Schaltungsverhalten und einer Betriebsfrequenz mit der niedrigsten Eoff im Vergleich zu Standard-Siliziumtechnologien. Dank der Eigenkörperdiode kann der Formfaktor verringert werden. Durch die maximale Sperrschichttemperatur bei 200 ºC wird ein höherer Systemwirkungsgrad und Zuverlässigkeit erreicht.