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STH300NH02L-6

Name: STMicroelectronics STH300NH02L-6
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STH300NH02L-6
Price: 1.71 CHF
Availability: OutOfStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

511-STH300NH02L-6

Herst.- Nr.:

STH300NH02L-6

Herst.:

STMicroelectronics

Beschreibung:

MOSFETs N-Ch 24V 0.95mOhm 180A STripFET Mosfet

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Datenblatt:

STH300NH02L-6 Datenblatt (PDF)

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	STMicroelectronics
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	TO-263-7
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	24 V
Id - Drain-Gleichstrom:	180 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	1.2 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	1 V
Qg - Gate-Ladung:	109 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	300 W
Kanalmodus:	Enhancement
Qualifikation:	AEC-Q100
Handelsname:	STripFET
Verpackung:	Reel
Marke:	STMicroelectronics
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	94.4 ns
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	275 ns
Serie:	STH300NH02L-6
Verpackung ab Werk:	1000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	138 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	18 ns
Gewicht pro Stück:	1.600 g

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Datenblatt

STH300NH02L-6 Datenblatt (PDF)

PCN

Konformitätscodes

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541210000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: Italien
Herstellungsland:: Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:: Nicht lieferbar

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

STripFET II™ Leistungs-MOSFETs

Die STripFET II™ Leistungs-MOSFETs von STMicroelectronics sind Anreicherungstyp-MOSFETs, die von der proprietären STripFET™-Technologie mit neuer Gate-Struktur von STMicroelectronics profitieren. Das Ergebnis ist ein STripFET™ Leistungs-MOSFET mit Hochstromfähigkeit und niedrigem R_DS(on). Diese Leistungs-MOSFETS bieten eine sehr geringe Schalt-Gate-Ladung, hohe Stoßentladungsfestigkeit, niedrige Gate-Treiber-Leistungsverluste und eine hohe Leistungsdichte. Die fortschrittliche Planartechnologie dieser STripFET™ Leistungs-MOSFET eignet sich ideal für Niederspannungssysteme mit hohem Wirkungsgrad.

STripFET™ Leistungs-MOSFETs

Diese STripFET™ Leistungs-MOSFETs sind Enhancement-Mode-MOSFETs, die von den neuesten Verbesserungen der STMicroelectronics proprietären STripFET™-Technologie mit neuer Gate-Struktur profitieren. Das Resultat ist ein STripFET™ Leistungs-MOSFET mit hoher Stromfähigkeit und niedrigem R_DS(on) für Schaltanwendungen im industriellen und Automobilbereich wie für Motorsteuerung, USV, DC-DC-Wandler, induktionsbetriebene Verdampfer und Solaranwendungen. STMicroelectronics STripFET™ Leistungs-MOSFETs haben eine sehr geringe Schalt-Gate-Ladung, hohe Avalanche-Beständigkeit, niedrige Gate-Treiber-Leistungsverluste und eine hohe Leistungsdichte. Diese STripFET™ Leistungs-MOSFETs zählen zu den Leistungs-MOSFETs im Bereich 30V–150V mit dem branchenweit niedrigsten R_DS(on).
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