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STP4NB80

STMicroelectronics

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

511-STP4NB80

Herst.- Nr.:

STP4NB80

Herst.:

STMicroelectronics

Beschreibung:

MOSFETs

Vervollständigen Sie Ihr Design

Lebenszyklus:

abgekündigt

Datenblatt:

STP4NB80 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Hersteller:	STMicroelectronics
Produktkategorie:	MOSFETs
Versandbeschränkungen:	Mouser verkauft dieses Produkt nicht in Ihre Region.
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-220-3
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	800 V
Id - Drain-Gleichstrom:	4 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	3.3 Ohms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 30 V, 30 V
Minimale Betriebstemperatur:	- 65 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	100 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Tube
Marke:	STMicroelectronics
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	9 ns
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	8 ns
Serie:	STP4NB80
Verpackung ab Werk:	50
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Typische Einschaltverzögerungszeit:	14 ns
Gewicht pro Stück:	2 g

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Datenblatt

STP4NB80 Datenblatt (PDF)

Konformitätscodes

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: Singapur
Herstellungsland:: Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:: Nicht lieferbar

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

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