Scheinbar haben Sie Javascript in Ihrem Browser deaktiviert. Einige Funktionen auf dieser Seite funktionieren nur, wenn Sie sich anmelden.

Wird ein Fehler angezeigt?

STP50N60DM6

Name: STMicroelectronics STP50N60DM6
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STP50N60DM6
Price: 5.59 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

511-STP50N60DM6

Herst.- Nr.:

STP50N60DM6

Herst.:

STMicroelectronics

Beschreibung:

MOSFETs N-channel 600 V, 70 mOhm typ., 36 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-220 package

Vervollständigen Sie Ihr Design

Datenblatt:

STP50N60DM6 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

Mehr über

Weitere Informationen zu STMicroelectronics STP50N60DM6

Auf Lager: 179

Lagerbestand:: 179 sofort lieferbar

Ein unerwarteter Fehler ist aufgetreten. Bitte versuchen Sie es später noch einmal.
Lieferzeit ab Hersteller:: 18 Wochen Geschätzte Produktionszeit des Werks für Mengen, die größer als angezeigt sind.

Menge eingeben:

Minimum: 1 Vielfache: 1

Stückpreis:

CHF -.--

Erw. Preis:

CHF -.--

Vorauss. Zolltarif:

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
	CHF 5.59	CHF 5.59
	CHF 2.99	CHF 29.90
	CHF 2.74	CHF 274.00
	CHF 2.36	CHF 1’180.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	STMicroelectronics
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	Through Hole
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	650 V
Id - Drain-Gleichstrom:	36 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	80 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 25 V, 25 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	4.75 V
Qg - Gate-Ladung:	55 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	250 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	MDmesh
Verpackung:	Tube
Marke:	STMicroelectronics
Produkt-Typ:	MOSFETs
Verpackung ab Werk:	1000
Unterkategorie:	Transistors
Gewicht pro Stück:	2 g

Produkte gefunden:

Um ähnliche Produkte anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen aus

Um ähnliche Produkte in dieser Kategorie anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen oben aus.

Ausgewählte Attribute: 0

Dokument filtern:

Datenblatt

STP50N60DM6 Datenblatt (PDF)

PCN

Konformitätscodes

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: China
Herstellungsland:: Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:: Nicht lieferbar

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

STP50N60DM6 MDmesh™ DM6 Leistungs-MOSFET

Der STP50N60DM6 MDmesh™ DM6 Leistungs-MOSFET von STMicroelectronics ist ein Hochspannungs-n-Kanal-Leistungs-MOSFET, der über eine extrem hohe dv/dt-Robustheit verfügt. Dieser Leistungs-MOSFET ist eine schnelle Freilauf-Bodydiode, die Zener-geschützt und zu 100 % Avalanche-getestet ist. Der STP50N60DM6 Leistungs-MOSFET bietet eine niedrige Gate-Ladung, eine niedrige Eingangskapazität, einen niedrigen Widerstand und einen niedrigeren R_DS(on) pro Fläche im Vergleich zur vorherigen Generation. Dieser MOSFET kombiniert eine sehr niedrige Sperrverzögerungsladung (Q_rr), eine sehr kurze Recoveryzeit (t_rr) und eine ausgezeichnete Verbesserung des R_DS(on) pro Fläche mit einem der effektivsten Schaltverhalten. Der STP50N60DM6 MDmesh DM6 Leistungs-MOSFET eignet sich hervorragend für Schaltapplikationen.