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TSCDAH20120G2H

Name: Taiwan Semiconductor TSCDAH20120G2H
Brand: Taiwan Semiconductor
SKU: 821-TSCDAH20120G2H
Price: 3.96 CHF
Availability: OutOfStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

821-TSCDAH20120G2H

Herst.- Nr.:

TSCDAH20120G2H

Herst.:

Taiwan Semiconductor

Beschreibung:

SiC Schottky Dioden 20A, 1200V, Automotive, SiC Schottky Diode, TO-247-2L_SiC

Lebenszyklus:

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Datenblatt:

TSCDAH20120G2H Datenblatt

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Hersteller:	Taiwan Semiconductor
Produktkategorie:	SiC Schottky Dioden
RoHS:
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-247-2
Konfiguration:	Single
If - Durchlassstrom:	20 A
Vrrm - Periodische Sperrspannung:	1.2 kV
Vf - Durchlassspannung:	1.38 V
Ifsm - Durchlass-Stoßstrom:	180 A
Ir - Sperrstrom:	30 uA
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Serie:	TSCD
Qualifikation:	AEC-Q101
Verpackung:	Tube
Marke:	Taiwan Semiconductor
Produkt-Typ:	SiC Schottky Diodes
Verpackung ab Werk:	600
Unterkategorie:	Diodes & Rectifiers
Vr - Sperrspannung:	840 V
Gewicht pro Stück:	6.100 g

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SPICE Models

SPICE Model (Text)

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Konformitätscodes

CAHTS:: 8541100090
USHTS:: 8541100080
TARIC:: 8541100000
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: China
Herstellungsland:: Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:: Nicht lieferbar

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

TSCD 1200V SiC Schottky Diodes

Taiwan Semiconductor TSCD 1200V SiC Schottky Diodes are AEC-Q101 qualified, merged PIN Schottky diodes with high forward surge capability. These TSCD Schottky diodes feature high-speed switching and a positive temperature coefficient on V_F. The 1200V SiC Schottky diodes operate at a 175°C maximum junction temperature. These SiC diodes are RoHS-compliant, Pb-free, and halogen-free. The 1200V SiC diodes are ideal for general-purpose, Switch Mode Power Supplies (SMPS), and power factor correction.