LM74800MDRRR

Texas Instruments
595-LM74800MDRRR
LM74800MDRRR

Herst.:

Beschreibung:
Spezialisiertes Energiemanagement - PMIC 3-V to 65-V back-to- back NFET ideal dio

ECAD Model:
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Preis (CHF)

Menge Stückpreis
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Gurtabschnitt / MouseReel™
CHF 3.37 CHF 3.37
CHF 2.56 CHF 25.60
CHF 2.35 CHF 58.75
CHF 2.12 CHF 212.00
CHF 2.02 CHF 505.00
CHF 2.01 CHF 1’005.00
CHF 1.95 CHF 1’950.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
CHF 1.83 CHF 5’490.00
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Texas Instruments
Produktkategorie: Spezialisiertes Energiemanagement - PMIC
RoHS:  
LM7480
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marke: Texas Instruments
Produkt-Typ: Power Management Specialized - PMIC
Verpackung ab Werk: 3000
Unterkategorie: PMIC - Power Management ICs
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Konformitätscodes
CNHTS:
8542399000
CAHTS:
8542310000
USHTS:
8542310030
TARIC:
8542399000
ECCN:
EAR99
Ursprungsklassifikationen
Ursprungsland:
China
Herstellungsland:
China
Land der Verbreitung:
Vereinigte Staaten
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LM7480x-Q1 Ideal-Dioden-Controller

Der Texas Instruments LM7480x-Q1 Ideal-Dioden-Controller steuert und steuert externe Back-to-Back-N-Kanal-MOSFETs an, um einen Ideal-Diodengleichrichter mit Leistungspfad-Ein-/Aus-Steuerung und Überspannungsschutz zu emulieren. Die breite Eingangsversorgung von 3 V bis 65 V ermöglicht den Schutz und die Steuerung von batteriebetriebenen Automotive-ECUs 12 V und 24 V. Das Bauteil kann Lasten vor negativen Versorgungsspannungen bis zu –65 V standhalten und schützen. Ein integrierter Ideal-Diodencontroller (DGATE) steuert den ersten MOSFET an, der eine Schottky-Diode für den Eingangsverpolungsschutz und die Überbrückung der Ausgangsspannung ersetzt. Mit einem zweiten MOSFET im Leistungspfad ermöglicht das Bauteil eine Lasttrennung (EIN/AUS-Steuerung) und einen Überspannungsschutz mit der HGATE-Steuerung. Das Bauteil verfügt über eine einstellbare Überspannungsschutzfunktion. Der LM7480x-Q1 Controller von Texas Instruments kann die externen MOSFETs in Common-Drain- und Common-Source Konfigurationen ansteuern. Mit der Common-Drain-Konfiguration der Leistungs-MOSFETs kann der Mittelpunkt für O-Ring-Designs mit einer anderen Ideal-Diode genutzt werden. Der LM7480x-Q1 verfügt über eine maximale Nennspannung von 65 V. Die Lasten können durch die Konfiguration des Bauteils mit externen MOSFETs in einer gemeinsamen Quellentopologie vor erweiterten Überspannungstransienten, wie z. B. 200 V ununterdrückten Lastabwürfen in 24 V-Batteriesystemen geschützt werden.