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LMG3526R050RQSR

Name: Texas Instruments LMG3526R050RQSR
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-LMG3526R050RQSR
Price: 14.85 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

595-LMG3526R050RQSR

Herst.- Nr.:

LMG3526R050RQSR

Herst.:

Texas Instruments

Beschreibung:

Gate-Treiber 650-V 50-m? GaN FET with integrated driv

Datenblatt:

LMG3526R050RQSR Datenblatt

ECAD Model:

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CHF -.--

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Cut-Tape

MouseReel™ (+CHF 7.00)

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	CHF 14.85	CHF 14.85
	CHF 11.21	CHF 112.10
	CHF 10.81	CHF 270.25
	CHF 9.81	CHF 981.00
	CHF 9.56	CHF 2’390.00
	CHF 9.48	CHF 4’740.00
	CHF 9.47	CHF 9’470.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2000)
	CHF 8.16	CHF 16’320.00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von CHF 7.00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Texas Instruments
Produktkategorie:	Gate-Treiber
RoHS:
Produkt:	GaN FET
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	VQFN-52
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 125 C
Serie:	LMG3526R050
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Texas Instruments
Eingangsspannung – Max:	18 V
Eingangsspannung – Min:	7.5 V
Feuchtigkeitsempfindlich:	Yes
Produkt-Typ:	Gate Drivers
Verpackung ab Werk:	2000
Unterkategorie:	PMIC - Power Management ICs

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Datenblatt

LMG3526R050RQSR Datenblatt

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Konformitätscodes

CAHTS:: 8542390000
USHTS:: 8542390090
MXHTS:: 8542399999
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: Philippinen
Herstellungsland:: Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:: Nicht lieferbar

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

LMG3526R050 650 V GaN-FET

Texas Instrument LMG3526R050 650 V GaN-FET mit integriertem Treiber und Schutz zielt auf Schaltnetzteil-Leistungswandler ab und ermöglicht Entwicklern das Erreichen neuer Leistungsdichte- und Effizienzniveaus. Der LMG3526R050 integriert einen Siliziumtreiber, der Schaltgeschwindigkeiten bis zu 150 V/ns ermöglicht. TI bietet eine integrierte Präzisions-Gate-Vorspannung, was zu einem höheren Schalt-SOA als diskrete Silizium-Gate-Treiber führt. Diese Integration sorgt in Kombination mit dem Niedriginduktivitätspaket von TI für minimales Klingeln und sauberes Schalten in hart schaltenden Stromversorgungstopologien. Die einstellbare Gate-Antriebsstärke ermöglicht die Steuerung der Anstiegsgeschwindigkeit von 15V/ns bis 150V/ns. Diese Steuerung kann zur Steuerung von EMI und zur aktiven Optimierung der Schaltleistung verwendet werden.