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J108

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

512-J108

Herst.- Nr.:

J108

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

JFETs N-Channel Switch

Lebenszyklus:

abgekündigt

ECAD Model:

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Versandmeldung:

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onsemi MMBFJ108

Herst.:

onsemi

Herst.- Nr.:

MMBFJ108

Beschreibung:

JFETs N-Channel Switch

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

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Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	JFETs
Versandbeschränkungen:	Mouser verkauft dieses Produkt nicht in Ihre Region.
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-92
Transistorpolung:	N-Channel
Konfiguration:	Single
Vgs - Gate-Source-Durchschlagspannung:	- 25 V
Abschaltungsspannung Gate-Source:	- 10 V
Drain-Source-Strom bei Vgs=0:	30 mA
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	8 Ohms
Pd - Verlustleistung:	625 mW
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Serie:	J108
Verpackung:	Bulk
Marke:	onsemi
Produkt-Typ:	JFETs
Verpackung ab Werk:	2000
Unterkategorie:	Transistors
Artikel # Aliases:	J108_NL
Gewicht pro Stück:	201 mg

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Konformitätscodes

CNHTS:: 8542319000
USHTS:: 8542310075
TARIC:: 8541210000
MXHTS:: 85412101
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: Philippinen
Herstellungsland:: Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:: Nicht lieferbar

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

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