onsemi AFGHL40T65SQD und AFGHL50T65SQD IGBTs
Die AFGHL40T65SQ und AFGHL50T65SQ IGBTs von onsemi sind Hochgeschwindigkeits-Field-Stop-IGBTs der 4. Generation, die sich hervorragend für Fahrzeuganwendungen eignen. Die AFGHL40T65SQ und AFGHL50T65SQ IGBTs bieten eine höhere Zuverlässigkeit und optimale Leistung für hartes und weiches Schalten. Die AFGHL40T65SQ und AFGHL50T65SQ IGBTs von onsemi sind AEC Q101-qualifiziert und bieten sehr geringe Schalt- und Leitungsverluste.
Merkmale
- AEC-Q101-qualifiziert
- +175 °C maximale Sperrschichttemperatur
- Positiver Temperaturkoeffizient (PTC) für einfache Parallelschaltung
- Hohe Strombelastbarkeit
- Niedrige Sättigungsspannung: 1,6 V VCE(Sat) (typisch) bei 40 A IC
- 100 % der Teile werden auf ILM getestet.
- Hohe Schaltgeschwindigkeit
- Enge Parameterverteilung
- RoHS-konform
Applikationen
- Harte Schaltung
- DC/DC-Wandler
- Brückenlose Totem-Pole-Blindleistungskompensation (PFC)
- PTC
- Fahrzeuganwendungen
- Onboard-Ladegeräte für Hybrid-/Elektrofahrzeuge (HEV/EV)
- HEV-EV-DC/DC Wandler
Technische Daten
- AFGHL40T65SQD
- 650 V Kollektor-zu-Emitter-Spannung
- ±20 V Gate-zu-Emitter-Spannung
- ±30 V transiente Gate-zu-Emitter-Spannung
- 40 A bei TC = +100 °C Kollektorstrom
- 80 A bei TC = +25 °C Kollektorstrom
- 160 A gepulster Kollektorstrom
- 80 A bei TC = +25 °C Dioden- Durchlassstrom
- 20 A bei TC = +100 °C Dioden- Durchlassstrom
- Maximaler Durchlassstrom der gepulsten Diode: 160 A
- 238 W bei TC = +25 °C Maximaler Leistungsverlust
- 119 W bei TC = +100 °C Maximaler Leistungsverlust
- Betriebs-Sperrschicht-/Lagertemperaturbereich: -55 °C bis +175 °C
- Maximale Leitungstemperatur für Lötzwecke von 300 °C, 1/8 Zoll (0,31 cm) vom Gehäuse während 5 Sek.
- AFGHL50T65SQD
- 650 V Kollektor-zu-Emitter-Spannung
- ±20 V Gate-zu-Emitter-Spannung
- ±30 V transiente Gate-zu-Emitter-Spannung
- 50 A bei TC = +100 °C Kollektorstrom
- 80 A bei TC = +25 °C Kollektorstrom
- 200A gepulster Kollektorstrom
- 80 A bei TC = +25 °C Dioden- Durchlassstrom
- 30 A bei TC = +100 °C Dioden- Durchlassstrom
- Maximaler Durchlassstrom der gepulsten Diode: 200 A
- 268 W bei TC = +25 °C Maximaler Leistungsverlust
- 134 W bei TC = +100 °C Maximaler Leistungsverlust
- Betriebs-Sperrschicht-/Lagertemperaturbereich: -55 °C bis +175 °C
- Maximale Leitungstemperatur für Lötzwecke von 300 °C, 1/8 Zoll (0,31 cm) vom Gehäuse während 5 Sek.
Datenblätter
Übersicht
Veröffentlichungsdatum: 2020-06-16
| Aktualisiert: 2024-06-10