ROHM Semiconductor R8002ANJ und R8005ANJ und R8008ANJ Leistungs-MOSFETs
Die Leistungs-MOSFETs R8002ANJ, R8005ANJ und R8008ANJ von ROHM Semiconductor zeichnen sich durch einen niedrigen Einschaltwiderstand und schnelle Schaltzeiten aus. Die MOSFETs eignen sich für Schalt-Applikationen. Die Bauteile zeichnen sich durch einen niedrigen Einschaltwiderstand, eine hohe Schaltgeschwindigkeit und eine garantierte Gate-Source-Spannung (VGSS) von ±30 V aus.
Merkmale
- Niedriger Einschaltwiderstand
- Hohe Schaltgeschwindigkeit
- Die Gate-Source-Spannung (VGSS) beträgt garantiert ±30 V
- Antriebsschaltungen können einfach sein
- Die parallele Nutzung ist einfach
- Bleifreie Beschichtung, RoHS-kompatibel
Applikationen
- Schaltnetzteil
Veröffentlichungsdatum: 2022-03-21
| Aktualisiert: 2022-04-14