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6ED2230S12TXUMA1

Name: Infineon 6ED2230S12TXUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-6ED2230S12TXUMA1
Price: 3.34 CHF
Availability: OutOfStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

726-6ED2230S12TXUMA1

Herst.- Nr.:

6ED2230S12TXUMA1

Herst.:

Infineon Technologies

Beschreibung:

Gate-Treiber 1200V, 0.65A 3-Phase BSD, OCP, EN & FAUL

Datenblatt:

6ED2230S12TXUMA1 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Infineon
Produktkategorie:	Gate-Treiber
RoHS:
Produkt:	IGBT, MOSFET Gate Drivers
Typ:	High-Side, Low-Side
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	DSO-24
Anzahl der Treiber:	6 Driver
Anzahl der Ausgänge:	6 Output
Ausgangsstrom:	650 mA
Versorgungsspannung - Min.:	13 V
Versorgungsspannung - Max.:	20 V
Konfiguration:	Inverting
Anstiegszeit:	35 ns
Abfallzeit:	20 ns
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 125 C
Serie:	Infineon SOI
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	Infineon Technologies
Logiktyp:	CMOS
Maximale Abschaltverzögerungszeit:	600 ns
Maximale Anschaltverzögerungszeit:	600 ns
Feuchtigkeitsempfindlich:	Yes
Betriebsversorgungsstrom:	175 uA
Pd - Verlustleistung:	1.3 W
Produkt-Typ:	Gate Drivers
Verzögerungszeit - Max.:	900 ns
Abschaltung:	Shutdown
Verpackung ab Werk:	1000
Unterkategorie:	PMIC - Power Management ICs
Technologie:	Si
Handelsname:	EiceDRIVER
Artikel # Aliases:	6ED2230S12T SP001656578
Gewicht pro Stück:	807.300 mg

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Datenblatt

6ED2230S12TXUMA1 Datenblatt (PDF)

Product Catalogs

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Konformitätscodes

CNHTS:: 8542399000
USHTS:: 8542310075
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: Malaysia
Herstellungsland:: Indonesien
Land der Verbreitung:: Malaysia

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

6ED223xS12T EiceDRIVER™ Gate-Treiber-ICs

Infineon Technologies 6ED223xS12T EiceDRIVER™ Pegelverschiebungs-Gate-Treiber-ICs sind isolierte Hochgeschwindigkeits-Gate-Bipolartransistoren (IGBTs) mit hoher Spannung (bis zu 1.200 V) und drei unabhängigen High-Side- und Low-Side-referenzierten Ausgangskanälen für Dreiphasen-Applikationen. Proprietäre HVIC- und Latch-unempfindliche CMOS-Technologien ermöglichen eine robuste monolithische Bauweise. Der Logikeingang ist mit Standard-CMOS- oder TTL-Ausgängen bis hinunter zu einer 3,3-V-Logikschaltung kompatibel. Dieser Widerstand kann auch eine Überstromschutzfunktion (OCP) ableiten, die alle sechs Ausgänge abschließt.

EiceDRIVER™ Gate-Treiber-ICs

Infineon EiceDRIVER™ Gate-Treiber-ICs sind für MOSFETs, IGBTs, SiC-MOSFETs und GaN-HEMTs-Bauteile ausgelegt. EiceDRIVER™ Gate-Treiber bieten eine große Auswahl von typischen Ausgangsstromoptionen von 0,1 μA bis 10 μA. Diese Bauteile verfügen über robuste Gate-Treiber-Schutzfunktionen, wie z. B. schnelle Kurzschluss-Sicherung (DESAT), aktive Miller-Klemme, Durchzündungsschutz, Fehler-, Abschalt- und Überstromschutz. Diese Funktionen machen diese Treiber-ICs ideal für Silizium- und Breitbandlücken-Leistungsbauteile, einschließlich CoolGaN™ und CoolSiC™. Aus diesem Grund bietet der Infineon mehr als 500 EiceDRIVER™ Gate-Treiber-IC-Lösungen, die sich für jeden Leistungsschalter und jede Applikation eignen.

1.200-V-Pegelverschiebungs-Gate-Treiber

Infineon 1.200 V Pegelverschiebungs-Gate-Treiber für Industrieantriebe umfassen Dreiphasen-, Halbbrücken- und High- und Low-Side-Treiber, die sich für IGBTs oder MOSFETs eignen. Der 6ED2230S12T Dreiphasen-1.200 V-SOI-Treiber mit integrierter Bootstrap-Diode (BSD) und Überstromschutz nutzt die einzigartige Silicon-on-Insulator (SOI) -Pegelverschiebungstechnologie des Infineon. Der 6ED2230S12T bietet eine funktionale Isolierung mit branchenführender negativer VS-Robustheit. Darüber hinaus bietet das Bauteil reduzierte Pegelverschiebungsverluste mit der integrierten Bootstrap-Diode, die eine geringere Stücklistenkosten und einen kleineren PCB-Footprint ermöglicht.