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IPA70R600P7SXKSA1

Name: Infineon IPA70R600P7SXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IPA70R600P7XKSA1
Price: 0.9 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

726-IPA70R600P7XKSA1

Herst.- Nr.:

IPA70R600P7SXKSA1

Herst.:

Infineon Technologies

Beschreibung:

MOSFETs CONSUMER

Datenblatt:

IPA70R600P7SXKSA1 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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	CHF 0.43	CHF 43.00
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	CHF 0.329	CHF 329.00
	CHF 0.292	CHF 1'460.00
	CHF 0.265	CHF 6'625.00

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Infineon
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-220-3
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	700 V
Id - Drain-Gleichstrom:	8.5 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	600 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 16 V, 16 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2.5 V
Qg - Gate-Ladung:	10.5 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	24.9 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	CoolMOS
Verpackung:	Tube
Marke:	Infineon Technologies
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	23 ns
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	5.5 ns
Serie:	CoolMOS P7
Verpackung ab Werk:	500
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	63 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	14 ns
Artikel # Aliases:	IPA70R600P7S SP001499700
Gewicht pro Stück:	2 g

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Datenblatt

IPA70R600P7SXKSA1 Datenblatt (PDF)

Application Notes

Product Catalogs

SPICE Models

Simulation Model CoolMOS™ Power MOSFET PSpice 700V P7 (Zip)

Test/Quality Data

MCDS_2018-01-25_10-35-11_MA001583000_PG-TO220-3-312 (PDF)

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

700 V CoolMOS™ P7 Leistungstransistoren

Die Infineon CoolMOS™ P7 700V-Leistungstransistoren zeichnen sich durch CoolMOS aus, einer revolutionären Technologie für Leistungs-MOSFETs mit hoher Spannung. Die 700V sind entsprechend dem Superjunction-Prinzip (SJ) entworfen und wurden erstmals von Infineon Technologies entwickelt. Die neuesten 700V CoolMOS P7 gehören zu einer optimierten Plattform, die auf kostensensible Applikationen für Verbrauchermärkte wie Ladegeräte, Adapter, Beleuchtung, Fernseher und vieles mehr zugeschnitten ist.
Mehr erfahren

CoolMOS™ 7 Superjunction-MOSFETs

Infineon Technologies CoolMOS™ 7 Superjunction-MOSFETs setzen neue Standards in puncto Energieeffizienz, Leistungsdichte und Benutzerfreundlichkeit. Die CoolMOS-7-Technologie ist für spezifische Applikationen mit innovativen Gehäusekonzepten und verschiedenen Technologien optimiert. CoolMOS 7 MOSFETS eignen sich hervorragend für Applikationen, die z. B. Ladestationen für Elektrofahrzeuge verkleinern und höhere Ausgänge bieten, was eine schnellere Aufladung des Autos zur Folge hat. Durch CoolMOS 7 sind neue Generationen von Adaptern und Ladegeräten kleiner, leichter und effizienter. Mit CoolMOS 7 können Ingenieure erneuerbare Energiesysteme günstiger und effizienter gestalten.

USB-C-Ladegeräte und -Adapter

Infineon Technologies bietet maßgeschneiderte Halbleiter, welche die Prioritäten der Kunden berücksichtigen — Preis/Leistung vs. (extrem) hohe Leistungsdichte. Das Portfolio umfasst die gesamte USB-C™ -Quellen-Produktkette, die von HV-/LV-Leistungsschaltern bis zu PWM-Controllern, USB-C-Controllern für die Stromversorgung sowie ESD-Schutzbauteilen reicht.

CoolMOS™ Superjunction-MOSFETs

CoolMOS™ -Leistungstransistoren von Infineon bieten alle Vorteile eines schnell schaltenden SJ-MOSFETs. In Kombination mit der Generation CoolMOS 7 setzt Infineon weiterhin Preis-, Leistungs- und Qualitätsmaßstäbe.

Erleben Sie den Unterschied in der Leistung

Infineon ist führend auf dem Leistungshalbleiter-Markt. Mit mehr als 20 Jahren Erfahrung und als Innovator der revolutionären CoolMOSTM™ -Superjunction-MOSFET-Technologie ist Infineon weiterhin eine Vorreiterrolle im Bereich des Energiemanagements. Kunden können basierend auf individuellen Design-/Systemanforderungen aus dem branchenweit breitesten Silizium-basierten SJ-MOSFET-Portfolio auswählen. Als einer der wenigen Hersteller, die alle drei Hauptenergietechnologien beherrschen, ergänzt Infineon dieses Sortiment durch ein bahnbrechendes Breitbandlücken-Angebot (WBG). Dieses Angebot umfasst Siliziumkarbid-basierte CoolSiC™-MOSFETs, Anpassungsdioden und Galliumnitrid-basierte CoolGaN ™ -E-Modus-HEMTs. Es gibt Lösungen, die von einem hervorragenden Preis-Leistungs-Verhältnis über eine unübertroffene Robustheit bis hin zu Geräten der Spitzenklasse reichen. Dies ermöglicht Kunden, effizientere, umweltfreundlichere und nachhaltigere Applikationen zu erstellen.

CoolMOS™ P7-MOSFETs

Infineon Technologies CoolMOS™ P7-MOSFETs bieten ein erstklassiges Preis-/Leistungsverhältnis mit benutzerfreundlicher Handhabung zur Bewältigung von Herausforderungen in verschiedenen Applikationen. Die CoolMOS 700V- und 800V-P7-Leistungs-MOSFETs wurden für Flyback-basierte, stromsparende SNT-Applikationen, einschließlich Adapter und Ladegerät, Beleuchtung, Audio-SNT, AUX und Industrieleistung ausgelegt. Die 600 V CoolMOS P7-Leistungs-MOSFETs zielen nicht nur auf stromsparende, sondern auch auf Hochleistungs-SNT-Applikationen wie z. B. Solar-Wechselrichter, Server und ferngesteuerte EV-Ladestationen ab. Die P7 sind für harte und weiche Schalttopologien vollständig optimiert.