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IMZA65R048M1HXKSA1

Name: Infineon IMZA65R048M1HXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IMZA65R048M1HXKS
Price: 6.69 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

726-IMZA65R048M1HXKS

Herst.- Nr.:

IMZA65R048M1HXKSA1

Herst.:

Infineon Technologies

Beschreibung:

SiC-MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET

Datenblatt:

IMZA65R048M1HXKSA1 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Infineon
Produktkategorie:	SiC-MOSFETs
RoHS:
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-247-4
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	650 V
Id - Drain-Gleichstrom:	39 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	64 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 5 V, + 23 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	5.7 V
Qg - Gate-Ladung:	33 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	125 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	CoolSiC
Marke:	Infineon Technologies
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	13 ns
Verpackung:	Tube
Produkt-Typ:	SiC MOSFETS
Anstiegszeit:	12.6 ns
Serie:	IMZA65R048
Verpackung ab Werk:	240
Unterkategorie:	Transistors
Technologie:	SiC
Regelabschaltverzögerungszeit:	17 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	14.8 ns
Artikel # Aliases:	IMZA65R048M1H SP005398433
Gewicht pro Stück:	6 g

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CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

Erleben Sie den Unterschied in der Leistung

Infineon ist führend auf dem Leistungshalbleiter-Markt. Mit mehr als 20 Jahren Erfahrung und als Innovator der revolutionären CoolMOSTM™ -Superjunction-MOSFET-Technologie ist Infineon weiterhin eine Vorreiterrolle im Bereich des Energiemanagements. Kunden können basierend auf individuellen Design-/Systemanforderungen aus dem branchenweit breitesten Silizium-basierten SJ-MOSFET-Portfolio auswählen. Als einer der wenigen Hersteller, die alle drei Hauptenergietechnologien beherrschen, ergänzt Infineon dieses Sortiment durch ein bahnbrechendes Breitbandlücken-Angebot (WBG). Dieses Angebot umfasst Siliziumkarbid-basierte CoolSiC™-MOSFETs, Anpassungsdioden und Galliumnitrid-basierte CoolGaN ™ -E-Modus-HEMTs. Es gibt Lösungen, die von einem hervorragenden Preis-Leistungs-Verhältnis über eine unübertroffene Robustheit bis hin zu Geräten der Spitzenklasse reichen. Dies ermöglicht Kunden, effizientere, umweltfreundlichere und nachhaltigere Applikationen zu erstellen.

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CoolSiC™ MOSFETs 650 V

Infineon Technologies CoolSiC™ MOSFETs 650 V kombinieren die physikalische Stärke von Siliciumcarbid mit Funktionen, die die Leistung, Zuverlässigkeit und Benutzerfreundlichkeit des Bauelements verbessern. Mit seinem hochmodernen Trench-Halbleiterverfahren liefert der CoolSiC™ MOSFET die niedrigsten Verluste in der Applikation und die höchste Zuverlässigkeit im Betrieb. CoolSiC eignet sich hervorragend für den Einsatz in Applikationen mit hohen Temperaturen und rauen Umgebungen.

CoolSiC™ Siliziumkarbid-MOSFETs und -Dioden

Die Siliziumkarbid-CoolSiC™ -MOSFETs und -Dioden von Infineon bieten ein Portfolio, das den Bedarf an intelligenterer und effizienterer Energieerzeugung, -übertragung und -nutzung abdeckt. Das CoolSiC-Portfolio erfüllt die Kundenanforderungen nach einer Verringerung der Systemgröße und -kosten bei Systemen mit mittlerer bis hoher Leistung, während gleichzeitig die höchsten Qualitätsstandards eingehalten werden, eine lange Systemlebensdauer gewährleistet und die Zuverlässigkeit garantiert wird. Mit CoolSiC werden Kunden die strengsten Effizienzziele erreichen und gleichzeitig die Betriebskosten senken. Das Portfolio umfasst CoolSiC-Schottky-Dioden, CoolSiC-Hybridmodule, CoolSiC-MOSFET-Module und diskrete sowie EiceDRIVER™ -Gate-Treiber-ICs für die Ansteuerung von Siliziumkarbid-Geräten.

CoolSiC™-MOSFETs

Infineon CoolSiC™ MOSFETs basieren auf einem hochmodernen Trench-Halbleiterverfahren, das sowohl für die niedrigsten Verluste in der Applikation als auch für die höchste Zuverlässigkeit im Betrieb optimiert ist. Das diskrete CoolSiC-Portfolio in TO- und SMD-Gehäusen ist in den Spannungsklassen 650 V, 1.200 V und 1.700 V mit on-Widerstandswerten von 27 mΩ bis 1.000 mΩ verfügbar. Die CoolSiC-Trench-Technologie ermöglicht einen flexiblen Parametersatz, der für die Implementierung von applikationsspezifischen Funktionen in den jeweiligen Produktportfolios verwendet wird. Diese Funktionen umfassen Gate-Source-Spannungen, Avalanche-Spezifikation, Kurzschlussfestigkeit oder eine interne Body-Diode, die für eine harte Kommutierung ausgelegt ist.