ALD110900ASAL

Name: Advanced Linear Devices ALD110900ASAL
Brand: Advanced Linear Devices
SKU: 585-ALD110900ASAL
Price: 7.67 CHF
Availability: OutOfStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

585-ALD110900ASAL

Herst.- Nr.:

ALD110900ASAL

Herst.:

Advanced Linear Devices

Beschreibung:

MOSFETs Dual EPAD(R) N-Ch

Datenblatt:

ALD110900ASAL Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Hersteller:	Advanced Linear Devices
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	SOIC-8
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	2 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	10 V
Id - Drain-Gleichstrom:	12 mA
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	500 Ohms, 500 Ohms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 12 V, 12 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	0 V
Minimale Betriebstemperatur:	0 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 70 C
Pd - Verlustleistung:	500 mW
Kanalmodus:	Depletion
Verpackung:	Tube
Marke:	Advanced Linear Devices
Konfiguration:	Dual
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	PH
Produkt-Typ:	MOSFETs
Serie:	ALD110900A
Verpackung ab Werk:	50
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	2 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	10 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	10 ns
Gewicht pro Stück:	74 mg