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ALD212900PAL

Name: Advanced Linear Devices ALD212900PAL
Brand: Advanced Linear Devices
SKU: 585-ALD212900PAL
Price: 8.71 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

585-ALD212900PAL

Herst.- Nr.:

ALD212900PAL

Herst.:

Advanced Linear Devices

Beschreibung:

MOSFETs Dual N-Ch EPAD FET Array VGS=0.0V

Datenblatt:

ALD212900PAL Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Advanced Linear Devices
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	PDIP-8
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	2 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	10 V
Id - Drain-Gleichstrom:	79 mA
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	14 Ohms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 12 V, 12 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	20 mV
Minimale Betriebstemperatur:	0 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 70 C
Pd - Verlustleistung:	500 mW
Kanalmodus:	Depletion
Verpackung:	Tube
Marke:	Advanced Linear Devices
Konfiguration:	Dual
Produkt-Typ:	MOSFETs
Serie:	ALD212900P
Verpackung ab Werk:	50
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	2 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	10 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	10 ns
Gewicht pro Stück:	1 g

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Datenblatt

ALD212900PAL Datenblatt (PDF)

Konformitätscodes

CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: Philippinen
Herstellungsland:: Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:: Nicht lieferbar

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

Advanced Linear Devices ALD210900/ALD210900A Precision N-Channel EPAD MOSFET Arrays - INACTIVE

Advanced Linear Devices ALD210900/ALD210900A Precision N-Channel EPAD MOSFET Arrays are precision matched at the factory using ALD's proven EPAD® CMOS technology. These dual monolithic devices are enhanced additions to the ALD110900A/ALD110900 EPAD® MOSFET Family, with increased forward transconductance and output conductance, particularly at very low supply voltages. Intended for low voltage, low power small signal applications, they feature Zero-Threshold™ voltage, which enables circuit designs with input/output signals referenced to GND at enhanced operating voltage ranges. With these devices, a circuit with multiple cascading stages can be built to operate at extremely low supply/bias voltage levels. These precision devices are versatile as design components for a broad range of analog small signal applications such as basic building blocks for current mirrors, matching circuits, current sources, differential amplifier input stages, transmission gates, and multiplexers. They also excel in limited operating voltage applications, such as very low level voltage-clamps and nano-power normally-on circuits.
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