ALD212908ASAL

Name: Advanced Linear Devices ALD212908ASAL
Brand: Advanced Linear Devices
SKU: 585-ALD212908ASAL
Price: 5.57 CHF
Availability: OutOfStock

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Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

585-ALD212908ASAL

Herst.- Nr.:

ALD212908ASAL

Herst.:

Advanced Linear Devices

Beschreibung:

MOSFETs Dual N-Ch Matched Pr VGS=0.0V

Datenblatt:

ALD212908ASAL Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Hersteller:	Advanced Linear Devices
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	SOIC-8
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	2 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	10.6 V
Id - Drain-Gleichstrom:	80 mA
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	14 Ohms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 12 V, 12 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	820 mV
Minimale Betriebstemperatur:	0 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 70 C
Pd - Verlustleistung:	500 mW
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	EPAD
Verpackung:	Tube
Marke:	Advanced Linear Devices
Konfiguration:	Dual
Produkt-Typ:	MOSFETs
Serie:	ALD212908A
Verpackung ab Werk:	50
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	2 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	10 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	10 ns
Gewicht pro Stück:	74 mg