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AS4C1M16S-7TCN

Name: Alliance Memory AS4C1M16S-7TCN
Brand: Alliance Memory
SKU: 913-AS4C1M16S-7TCN
Price: 4.01 CHF
Availability: OutOfStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

913-AS4C1M16S-7TCN

Herst.- Nr.:

AS4C1M16S-7TCN

Herst.:

Alliance Memory

Beschreibung:

DRAM SDRAM, 16Mb, 1M x 16, 3.3V, 50pin TSOP II, 143 MHz, Commercial Temp - Tray

Datenblatt:

AS4C1M16S-7TCN Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Hersteller:	Alliance Memory
Produktkategorie:	DRAM
RoHS:
Typ:	SDRAM
Speichergröße:	16 Mbit
Datenbus-Weite:	16 bit
Maximale Taktfrequenz:	143 MHz
Verpackung/Gehäuse:	TSOP-II-50
Organisation:	1 M x 16
Zugangszeit:	5.4 ns
Versorgungsspannung - Min.:	3 V
Versorgungsspannung - Max.:	3.6 V
Minimale Betriebstemperatur:	0 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 70 C
Serie:	AS4C1M16S-7
Verpackung:	Tray
Marke:	Alliance Memory
Land der Bestückung:	TW
Land der Verbreitung:	TW
Ursprungsland:	TW
Feuchtigkeitsempfindlich:	Yes
Montageart:	SMD/SMT
Produkt-Typ:	DRAM
Verpackung ab Werk:	117
Unterkategorie:	Memory & Data Storage
Versorgungsstrom - Max.:	70 mA

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Datenblatt

AS4C1M16S-7TCN Datenblatt (PDF)

REACH Declaration (PDF)

CNHTS:: 8542329000
USHTS:: 8542320002
JPHTS:: 854232021
KRHTS:: 8542321010
MXHTS:: 8542320201
ECCN:: EAR99

AS4C SDRAM

Alliance Memory AS4C SDRAM is high-speed CMOS synchronous DRAM containing 64Mbits, 128Mbits, or 256Mbits. They are internally configured as 4 banks of 1M, 2M, or 4M word x 16 DRAM with a synchronous interface (all signals are registered on the positive edge of the clock signal, CLK). Read and write accesses to the SDRAM are burst oriented, accesses start at a selected location and continue for a programmed number of locations in a programmed sequence. Accesses begin with the registration of a BankActivate command, which is then followed by a Read or Write command.