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AS4C1M16S-7TCNTR

Name: Alliance Memory AS4C1M16S-7TCNTR
Brand: Alliance Memory
SKU: 913-AS4C1M16S-7TCNTR
Price: 3.35 CHF
Availability: OutOfStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

913-AS4C1M16S-7TCNTR

Herst.- Nr.:

AS4C1M16S-7TCNTR

Herst.:

Alliance Memory

Beschreibung:

DRAM 16Mb, 3.3V, 143Mhz 1M x 16 SDRAM

Datenblatt:

AS4C1M16S-7TCNTR Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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CHF -.--

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Cut-Tape

MouseReel™ (+CHF 7.00)

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	CHF 3.35	CHF 3.35
	CHF 3.13	CHF 31.30
	CHF 3.03	CHF 75.75
	CHF 2.97	CHF 148.50
	CHF 2.90	CHF 290.00
	CHF 2.75	CHF 687.50
	CHF 2.74	CHF 1’370.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 1000)
	CHF 2.64	CHF 2’640.00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von CHF 7.00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Alliance Memory
Produktkategorie:	DRAM
RoHS:
Typ:	SDRAM
Speichergröße:	16 Mbit
Datenbus-Weite:	16 bit
Maximale Taktfrequenz:	143 MHz
Verpackung/Gehäuse:	TSOP-II-50
Organisation:	1 M x 16
Zugangszeit:	5.4 ns
Versorgungsspannung - Min.:	3 V
Versorgungsspannung - Max.:	3.6 V
Minimale Betriebstemperatur:	0 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 70 C
Serie:	AS4C1M16S-7
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Alliance Memory
Feuchtigkeitsempfindlich:	Yes
Montageart:	SMD/SMT
Produkt-Typ:	DRAM
Verpackung ab Werk:	1000
Unterkategorie:	Memory & Data Storage
Versorgungsstrom - Max.:	70 mA

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Datenblatt

AS4C1M16S-7TCNTR Datenblatt (PDF)

REACH Declaration (PDF)

Konformitätscodes

CNHTS:: 8542319090
USHTS:: 8542320002
JPHTS:: 854232021
KRHTS:: 8542321010
MXHTS:: 8542320201
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: Taiwan
Herstellungsland:: Taiwan
Land der Verbreitung:: Taiwan

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

AS4C SDRAM

Alliance Memory AS4C SDRAM is high-speed CMOS synchronous DRAM containing 64Mbits, 128Mbits, or 256Mbits. They are internally configured as 4 banks of 1M, 2M, or 4M word x 16 DRAM with a synchronous interface (all signals are registered on the positive edge of the clock signal, CLK). Read and write accesses to the SDRAM are burst oriented, accesses start at a selected location and continue for a programmed number of locations in a programmed sequence. Accesses begin with the registration of a BankActivate command, which is then followed by a Read or Write command.