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AS4C256M16D3LC-10BIN

Name: Alliance Memory AS4C256M16D3LC-10BIN
Brand: Alliance Memory
SKU: 913-4C256M16D3L10BIN
Price: 32.52 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

913-4C256M16D3L10BIN

Herst.- Nr.:

AS4C256M16D3LC-10BIN

Herst.:

Alliance Memory

Beschreibung:

DRAM DDR3, 4G, 256M X 16, 1.35V, 96-BALL FBGA, 933MHZ, Industrial Temp - Tray

Datenblatt:

AS4C256M16D3LC-10BIN Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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	CHF 27.66	CHF 2’766.00
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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Alliance Memory
Produktkategorie:	DRAM
RoHS:
Typ:	SDRAM - DDR3L
Speichergröße:	4 Gbit
Datenbus-Weite:	16 bit
Maximale Taktfrequenz:	933 MHz
Verpackung/Gehäuse:	FBGA-96
Organisation:	256 M x 16
Zugangszeit:	20 ns
Versorgungsspannung - Min.:	1.283 V
Versorgungsspannung - Max.:	1.45 V
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 95 C
Verpackung:	Tray
Marke:	Alliance Memory
Feuchtigkeitsempfindlich:	Yes
Montageart:	SMD/SMT
Produkt-Typ:	DRAM
Verpackung ab Werk:	209
Unterkategorie:	Memory & Data Storage
Versorgungsstrom - Max.:	84 mA

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Datenblatt

AS4C256M16D3LC-10BIN Datenblatt (PDF)

REACH Declaration (PDF)

Konformitätscodes

CNHTS:: 8542329010
CAHTS:: 8542320020
USHTS:: 8542320036
MXHTS:: 8542320299
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: Taiwan
Herstellungsland:: Taiwan
Land der Verbreitung:: Taiwan

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

DDR3 Synchronous DRAM

Alliance Memory DDR3 Synchronous DRAM (SDRAM) achieves high-speed double-data-rate transfer rates of up to 1600Mb/sec/pin for general applications. The chip is designed to comply with all key DDR3 DRAM key features, and all of the control and address inputs are synchronized with a pair of externally supplied differential clocks. Inputs are latched at the cross point of differential clocks (CK rising and CK# falling). All I/Os are synchronized with differential DQS pairs in a source synchronous fashion. These Alliance Memory devices operate with a single 1.5V ± 0.075V power supply and are available in BGA packages.