AS4C256M16D3LC-10BIN

Alliance Memory
913-4C256M16D3L10BIN
AS4C256M16D3LC-10BIN

Herst.:

Beschreibung:
DRAM DDR3, 4G, 256M X 16, 1.35V, 96-BALL FBGA, 933MHZ, Industrial Temp - Tray

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Alliance Memory
Produktkategorie: DRAM
RoHS:  
SDRAM - DDR3L
4 Gbit
16 bit
933 MHz
FBGA-96
256 M x 16
20 ns
1.283 V
1.45 V
- 40 C
+ 95 C
Tray
Marke: Alliance Memory
Feuchtigkeitsempfindlich: Yes
Montageart: SMD/SMT
Produkt-Typ: DRAM
Verpackung ab Werk: 209
Unterkategorie: Memory & Data Storage
Versorgungsstrom - Max.: 84 mA
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Ausgewählte Attribute: 0

Konformitätscodes
CNHTS:
8542329010
CAHTS:
8542320020
USHTS:
8542320036
MXHTS:
8542320299
ECCN:
EAR99
Ursprungsklassifikationen
Ursprungsland:
Taiwan
Herstellungsland:
Taiwan
Land der Verbreitung:
Taiwan
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DDR3 Synchronous DRAM

Alliance Memory DDR3 Synchronous DRAM (SDRAM) achieves high-speed double-data-rate transfer rates of up to 1600Mb/sec/pin for general applications. The chip is designed to comply with all key DDR3 DRAM key features, and all of the control and address inputs are synchronized with a pair of externally supplied differential clocks. Inputs are latched at the cross point of differential clocks (CK rising and CK# falling). All I/Os are synchronized with differential DQS pairs in a source synchronous fashion. These Alliance Memory devices operate with a single 1.5V ± 0.075V power supply and are available in BGA packages.