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AS4C32M8SA-7TCN

Name: Alliance Memory AS4C32M8SA-7TCN
Brand: Alliance Memory
SKU: 913-AS4C32M8SA7TCN
Price: 6.75 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

913-AS4C32M8SA7TCN

Herst.- Nr.:

AS4C32M8SA-7TCN

Herst.:

Alliance Memory

Beschreibung:

DRAM SDRAM, 256M, 32M X 8, 3.3V, 54PIN TSOP II, 143 MHZ, COMMERCIAL TEMP - Tray

Datenblatt:

AS4C32M8SA-7TCN Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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	CHF 6.28	CHF 62.80
	CHF 6.09	CHF 152.25
	CHF 5.95	CHF 297.50
	CHF 5.86	CHF 632.88
	CHF 5.74	CHF 1’239.84
	CHF 5.69	CHF 3’072.60
	CHF 5.62	CHF 6’069.60

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Alliance Memory
Produktkategorie:	DRAM
RoHS:
Typ:	SDRAM
Speichergröße:	256 Mbit
Datenbus-Weite:	8 bit
Maximale Taktfrequenz:	143 MHz
Verpackung/Gehäuse:	TSOP-II-54
Organisation:	32 M x 8
Zugangszeit:	5.4 ns
Versorgungsspannung - Min.:	3 V
Versorgungsspannung - Max.:	3.6 V
Minimale Betriebstemperatur:	0 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 70 C
Serie:	AS4C32M8SA
Verpackung:	Tray
Marke:	Alliance Memory
Feuchtigkeitsempfindlich:	Yes
Montageart:	SMD/SMT
Produkt-Typ:	DRAM
Verpackung ab Werk:	108
Unterkategorie:	Memory & Data Storage
Versorgungsstrom - Max.:	55 mA
Gewicht pro Stück:	2.171 g

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Datenblatt

AS4C32M8SA-7TCN Datenblatt (PDF)

Konformitätscodes

CNHTS:: 8542329010
CAHTS:: 8542320020
USHTS:: 8542320024
MXHTS:: 8542320299
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: Taiwan
Herstellungsland:: Taiwan
Land der Verbreitung:: Taiwan

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

AS4C SDRAM

Alliance Memory AS4C SDRAM is high-speed CMOS synchronous DRAM containing 64Mbits, 128Mbits, or 256Mbits. They are internally configured as 4 banks of 1M, 2M, or 4M word x 16 DRAM with a synchronous interface (all signals are registered on the positive edge of the clock signal, CLK). Read and write accesses to the SDRAM are burst oriented, accesses start at a selected location and continue for a programmed number of locations in a programmed sequence. Accesses begin with the registration of a BankActivate command, which is then followed by a Read or Write command.