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AS4C64M32MD1A-5BIN

Name: Alliance Memory AS4C64M32MD1A-5BIN
Brand: Alliance Memory
SKU: 913-64M32MD1A-5BIN
Price: 9.23 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

913-64M32MD1A-5BIN

Herst.- Nr.:

AS4C64M32MD1A-5BIN

Herst.:

Alliance Memory

Beschreibung:

DRAM LPDDR1, 2G, 64M x 32, 1.8v, 200MHz, 90-BALL FBGA, (A-die) Industrial Temp - Tray

Datenblatt:

AS4C64M32MD1A-5BIN Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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	CHF 8.32	CHF 208.00
	CHF 8.12	CHF 406.00
	CHF 7.67	CHF 767.00
	CHF 7.47	CHF 1’792.80
	CHF 7.36	CHF 3’532.80

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Alliance Memory
Produktkategorie:	DRAM
RoHS:
Typ:	SDRAM Mobile - LPDDR
Speichergröße:	2 Gbit
Datenbus-Weite:	32 bit
Maximale Taktfrequenz:	200 MHz
Verpackung/Gehäuse:	FBGA-90
Organisation:	64 M x 32
Zugangszeit:	6.5 ns
Versorgungsspannung - Min.:	1.7 V
Versorgungsspannung - Max.:	1.95 V
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 85 C
Verpackung:	Tray
Marke:	Alliance Memory
Feuchtigkeitsempfindlich:	Yes
Montageart:	SMD/SMT
Produkt-Typ:	DRAM
Verpackung ab Werk:	240
Unterkategorie:	Memory & Data Storage
Versorgungsstrom - Max.:	70 mA

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Datenblatt

AS4C64M32MD1A-5BIN Datenblatt (PDF)

Konformitätscodes

CNHTS:: 8542329000
CAHTS:: 8542320020
USHTS:: 8542320036
MXHTS:: 8542320299
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: Taiwan
Herstellungsland:: Korea, Republik von
Land der Verbreitung:: Taiwan

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

AS4C64M32MD1A-5BIN 2Gb LPDDR SDRAM

Alliance Memory AS4C64M32MD1A-5BIN 2Gb LPDR SDRAM is a four-bank mobile DDR DRAM organized as 4 banks x 16M x 32. The AS4C64M32MD1A-5BIN SDRAM is designed for high performance and operates at low power. This SDRAM comes in a double-data-rate architecture that offers two data transfers per clock cycle. The AS4C64M32MD1A-5BIN SDRAM features a bidirectional data strobe (DQS) and differential clock inputs (CK and CK#). This SDRAM provides internal temperature-compensated self-refresh, edge-aligned data output, and center-aligned data input.