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AS9F14G08SA-45BIN

Name: Alliance Memory AS9F14G08SA-45BIN
Brand: Alliance Memory
SKU: 913-AS9F14G08SA45BIN
Price: 6.66 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

913-AS9F14G08SA45BIN

Herst.- Nr.:

AS9F14G08SA-45BIN

Herst.:

Alliance Memory

Beschreibung:

NAND-Flash SLC Parallel NAND-Flash, 4Gb, x8, 1.8V, 4bit ECC, 45ns, 63b FBGA, Industrial Grade

Datenblatt:

AS9F14G08SA-45BIN Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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	CHF 6.01	CHF 150.25
	CHF 5.86	CHF 293.00
	CHF 5.58	CHF 558.00
	CHF 5.57	CHF 1’169.70
	CHF 5.25	CHF 5’512.50

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Alliance Memory
Produktkategorie:	NAND-Flash
RoHS:
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	FBGA-63
Speichergröße:	4 Gbit
Schnittstellen-Typ:	Parallel
Organisation:	4 G x 8
Timing-Typ:	Asynchronous
Datenbus-Weite:	8 bit
Versorgungsspannung - Min.:	1.7 V
Versorgungsspannung - Max.:	1.95 V
Versorgungsstrom - Max.:	30 mA
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 85 C
Verpackung:	Tray
Max. aktiver Lesestrom:	30 mA
Marke:	Alliance Memory
Feuchtigkeitsempfindlich:	Yes
Produkt-Typ:	NAND Flash
Geschwindigkeit:	45 ns
Verpackung ab Werk:	210
Unterkategorie:	Memory & Data Storage

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Datenblatt

AS9F14G08SA-45BIN Datenblatt (PDF)

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Konformitätscodes

CAHTS:: 8542320040
USHTS:: 8542320051
MXHTS:: 8542320299
ECCN:: 3A991.b.1.a

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: Korea, Republik von
Herstellungsland:: Korea, Republik von
Land der Verbreitung:: Korea, Republik von

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

AS9F Nand Flash Memories

Alliance Memory AS9F Nand Flash Memories features a Nand interface with x8 bus width and pinout compatibility for all densities. The NAND cell of these memories provides the most cost-effective solution for the solid-state mass storage market. These Nand flash memories are divided into blocks that are erased independently to preserve valid data. The AS9F Nand flash memories contain 1024/2048 blocks in the SLC NAND device. These AS9F memories data can be read out at 25ns(3.3V)/45ns(1.8V) cycle time per byte. The Nand flash memories feature a normal status register, fast data copy without external buffering, and an internal buffer to improve the read throughput. These AS9F Nand flash memories operate at -40°C to 85°C industrial temperature range, with a 2.7V to 3.6V power supply range for 3.3V devices and a 1.7V to 1.95V power supply range for 1.8V.