SSM2212RZ-R7

Analog Devices
584-SSM2212RZ-R7
SSM2212RZ-R7

Herst.:

Beschreibung:
Bipolartransistoren - BJT Low Noise,Matched Dual NPN Transistor

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CHF 6.75 CHF 67.50
CHF 5.63 CHF 563.00
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Analog Devices SSM2212RZ
Analog Devices
Bipolartransistoren - BJT Low Noise,Matched Dual NPN Transistor

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Analog Devices Inc.
Produktkategorie: Bipolartransistoren - BJT
RoHS:  
Si
SMD/SMT
SOIC-8
NPN
Dual
20 mA
40 V
40 V
50 mV
200 MHz
- 40 C
+ 85 C
SSM2212
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marke: Analog Devices
DC-Kollektor/Basisgewinnung hfe Min: 300 at 1 mA, 200 at 10 uA
Produkt-Typ: BJTs - Bipolar Transistors
Verpackung ab Werk: 1000
Unterkategorie: Transistors
Gewicht pro Stück: 540 mg
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Ausgewählte Attribute: 0

CNHTS:
8541210000
CAHTS:
8541210000
USHTS:
8541210095
JPHTS:
854121000
KRHTS:
8541219000
TARIC:
8541210000
MXHTS:
8541210100
ECCN:
EAR99

SSM2212 Dualer NPN-abgeglichener Transistor

Der Analog Devices SSM2212 umfasst ein duales NPN-abgeglichenes Transistorpaar, das speziell entworfen wurde, um die Anforderungen von extrem rauscharmen Audiosystemen zu erfüllen. Mit seinem extrem niedrigen Basis-Ausbreitungswiderstand (typischer rbb von 28Ω) und hoher Spannungsverstärkung (typischer hFE über 600 bei IC = 1mA) kann der SSM2212 außergewöhnliche Signal-Rausch-Verhältnisse erzielen. Die hohe Spannungsverstärkung ergibt eine überragende Leistung im Vergleich zu Systemen, die handelsübliche monolithische Verstärker verwenden. Ausgezeichnete Anpassung der Stromverstärkung (ΔhFE) bis ca. 0,5% und ein geringer VOS von weniger als 10μV (typ.) machen den SSM2212 ideal für symmetrisch ausgewogene Designs, die die harmonische Verzerrung von Verstärkern hoher Ordnung reduzieren. Die Stabilität der Anpassungsparameter ist durch Schutzdioden über den Basis-Emitter-Übergang gewährleistet. Diese Dioden verhindern die Degradierung von Beta- und Anpassungseigenschaften aufgrund der Sperrspannung des Basis-Emitter-Übergangs. Der SSM2212 ist auch eine ideale Wahl für präzise und zuverlässige Ruhestrom- und Spiegel-Schaltungen. Da sich die Genauigkeit der Stromspiegel exponentiell mit den Fehlpaarungen der VBE zwischen Transistorpaaren verringert, erfordert die niedrige VOS des SSM2212 in den meisten Schaltungsanwendungen keine Offsettrimmung.
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