AS3001316-035nX0PTAY

Name: Avalanche Technology AS3001316-035nX0PTAY
Brand: Avalanche Technology
SKU: 793-31316035NX0PTAY
Price: 11.7 CHF
Availability: OutOfStock

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Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

793-31316035NX0PTAY

Herst.- Nr.:

AS3001316-035nX0PTAY

Herst.:

Avalanche Technology

Beschreibung:

MRAM Avalanche Asynchronous Parallel interface P-SRAM 1Mb in 44TSOP package with x16 interface, 3V, -40 C to 105 C

Datenblatt:

AS3001316-035nX0PTAY Datenblatt (PDF)

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

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Hersteller:	Avalanche Technology
Produktkategorie:	MRAM
RoHS:
Verpackung/Gehäuse:	TSOP-44
Schnittstellen-Typ:	Parallel
Speichergröße:	1 Mbit
Organisation:	64 k x 16
Datenbus-Weite:	16 bit
Zugangszeit:	35 ns
Versorgungsspannung - Min.:	2.7 V
Versorgungsspannung - Max.:	3.6 V
Betriebsversorgungsstrom:	12 mA
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 105 C
Serie:	AS3001316
Verpackung:	Tray
Marke:	Avalanche Technology
Feuchtigkeitsempfindlich:	Yes
Montageart:	SMD/SMT
Produkt-Typ:	MRAM
Verpackung ab Werk:	135
Handelsname:	STT-MRAM, MRAM

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Datenblatt

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Konformitätscodes

USHTS:: 8542320071
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: Taiwan
Herstellungsland:: Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:: Nicht lieferbar

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

Parallel P-SRAM Memory

Avalanche Technology Parallel Persistent SRAM Memory are Magneto-Resistive Random-Access Memory (MRAM) that offers a density range from 1Mbit to 32Mbit. The P-SRAM memory operates from 2.7V to 3.6V voltage range. The P-SRAM memory devices are available in small footprint 54-pin TSOP, 44-pin TSOP, and 48-Ball FBGA packages. These packages are compatible with similar low-power volatile and non-volatile products. The parallel persistent SRAM memory devices are offered with -40°C to 85°C industrial and -40°C to 105°C industrial plus operating temperature ranges.