2N4124 APP TIN/LEAD

Central Semiconductor
610-2N4124-TL
2N4124 APP TIN/LEAD

Herst.:

Beschreibung:
Bipolartransistoren - BJT 30Vcbo 25Vceo 5.0Vebo 200mA 625mW

Datenblatt:
ECAD Model:
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Central Semiconductor
Produktkategorie: Bipolartransistoren - BJT
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-92-3
NPN
Single
25 V
30 V
5 V
300 mV
1.5 W
300 MHz
- 65 C
+ 150 C
2N4124
Ammo Pack
Marke: Central Semiconductor
Kollektorgleichstrom: 200 mA
DC-Kollektor/Basisgewinnung hfe Min: 120 at 10 V, 2 mA
DC Stromverstärkung hFE max.: 360 at 1 V, 2 mA
Produkt-Typ: BJTs - Bipolar Transistors
Verpackung ab Werk: 2000
Unterkategorie: Transistors
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Ausgewählte Attribute: 0

Datenblatt

Konformitätscodes
USHTS:
8541290055
TARIC:
8541210000
ECCN:
EAR99
Ursprungsklassifikationen
Ursprungsland:
Nicht lieferbar
Herstellungsland:
Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:
Nicht lieferbar
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