CDBJSC8650-G

Comchip Technology
750-CDBJSC8650-G
CDBJSC8650-G

Herst.:

Beschreibung:
SiC Schottky Dioden SiC POWER SCHOTTKY 8A 650V

Datenblatt:
ECAD Model:
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Comchip Technology
Produktkategorie: SiC Schottky Dioden
RoHS:  
Through Hole
TO-220-2
Single
8 A
650 V
1.47 V
80 A
10 uA
- 55 C
+ 175 C
Tube
Marke: Comchip Technology
Pd - Verlustleistung: 102.4 W
Produkt-Typ: SiC Schottky Diodes
Verpackung ab Werk: 50
Unterkategorie: Diodes & Rectifiers
Vr - Sperrspannung: 650 V
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Ausgewählte Attribute: 0

Datenblatt

PCN

Konformitätscodes
CNHTS:
8541490000
CAHTS:
8541400029
USHTS:
8541100080
ECCN:
EAR99
Ursprungsklassifikationen
Ursprungsland:
Taiwan
Herstellungsland:
Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:
Nicht lieferbar
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