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DGD05473FN-7

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

621-DGD05473FN-7

Herst.- Nr.:

DGD05473FN-7

Herst.:

Diodes Incorporated

Beschreibung:

Gate-Treiber HV Gate Driver

Lebenszyklus:

End-of-Life-Produkt :

Gilt als veraltet und wurde vom Hersteller abgekündigt

Datenblatt:

DGD05473FN-7 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Versandmeldung:

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Verfügbarkeit

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Hersteller:	Diodes Incorporated
Produktkategorie:	Gate-Treiber
Versandbeschränkungen:	Mouser verkauft dieses Produkt nicht in Ihre Region.
RoHS:
Produkt:	Half-Bridge Drivers
Typ:	High-Side, Low-Side
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	W-DFN3030-10
Anzahl der Treiber:	2 Driver
Anzahl der Ausgänge:	2 Output
Ausgangsstrom:	2.5 A
Versorgungsspannung - Min.:	4.5 V
Versorgungsspannung - Max.:	14 V
Anstiegszeit:	16 ns
Abfallzeit:	12 ns
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 125 C
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Diodes Incorporated
Kenndaten und Eigenschaften:	Internal bootstrap Diode included, Undervoltage Lockout
Logiktyp:	CMOS, TTL
Feuchtigkeitsempfindlich:	Yes
Betriebsversorgungsstrom:	7.3 mA
Pd - Verlustleistung:	400 mW
Produkt-Typ:	Gate Drivers
Verzögerungszeit - Max.:	35 ns
Abschaltung:	Shutdown
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	PMIC - Power Management ICs
Technologie:	Si
Gewicht pro Stück:	51 g

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Datenblatt

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EOL

Product Discontinuation Notification 2025-6-23 (PDF)

PCN

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Konformitätscodes

CNHTS:: 8542399000
CAHTS:: 8542390000
USHTS:: 8542390090
MXHTS:: 8542399901
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: China
Herstellungsland:: Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:: Nicht lieferbar

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

Gate-Treiber

Die Gate-Treiber von Diodes Incorporated decken eine große Auswahl von Applikationen in Leistungssystemen und im Motorantrieb ab. Diese Gate-Treiber fungieren als Schnittstelle zwischen Mikrocontroller und IGBT- oder MOSFET-Leistungsschaltern. Die Gate-Treiber bieten optimale Antriebseigenschaften bei gleichzeitiger Steuerung der Durchzündung.

DGD-Halbbrücken-Gate-Treiber

Diodes Inc. DGD-Halbbrücken-Gate-Treiber sind Hochspannungs- und Hochgeschwindigkeits-Gate-Treiber, die n-Kanal-MOSFETs und IGBTs in einer Halbbrücken-Konfiguration antreiben können. Hochspannungsverarbeitungstechniken ermöglichen es der High-Side auf die Offsetspannung in einem Bootstrap-Betrieb umzuschalten. Die DGD-Logikeingänge sind mit den Standard-TTL- und CMOS-Pegeln (bis zu 3,3 V) kompatibel, um problemlos mit Steuergeräten zu kommunizieren. Die Gate-Treiber von Diodes Incorporated eignen sich hervorragend für DC/DC-Wandler, DC/AC-Wechselrichter, AC/DC-Netzteile, Motorsteuerungen und Leistungsverstärker der Klasse D.