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DMHC3025LSDQ-13

Name: Diodes Incorporated DMHC3025LSDQ-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 621-DMHC3025LSDQ-13
Price: 1.21 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

621-DMHC3025LSDQ-13

Herst.- Nr.:

DMHC3025LSDQ-13

Herst.:

Diodes Incorporated

Beschreibung:

MOSFETs 30V Comp Enh FET H-Bridge 2xN 2xP

Datenblatt:

DMHC3025LSDQ-13 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Cut-Tape

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Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	CHF 1.21	CHF 1.21
	CHF 0.705	CHF 7.05
	CHF 0.491	CHF 49.10
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2500)
	CHF 0.491	CHF 1’227.50

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von CHF 7.00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Diodes Incorporated
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	SOIC-8
Transistorpolung:	N-Channel, P-Channel
Anzahl der Kanäle:	4 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	30 V
Id - Drain-Gleichstrom:	4.2 A, 6 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	25 mOhms, 50 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	1 V
Qg - Gate-Ladung:	11.7 nC, 11.4 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	1.5 W
Kanalmodus:	Enhancement
Qualifikation:	AEC-Q101
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Diodes Incorporated
Konfiguration:	Quad
Abfallzeit:	8.7 ns, 13.5 ns
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	15 ns, 4.9 ns
Serie:	DMHC3025
Verpackung ab Werk:	2500
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	2 N-Channel, 2 P-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	17.5 ns, 28.2 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	11.2 ns, 7.5 ns
Gewicht pro Stück:	74 mg

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Datenblatt

DMHC3025LSDQ-13 Datenblatt (PDF)

PCN

Product Change Notification 2026-1-27 (PDF)

Environmental Compliance (PDF)

Konformitätscodes

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: China
Herstellungsland:: Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:: Nicht lieferbar

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

Power MOSFETs

Diodes Incorporated offers a broad range of Power MOSFETs, enabling designers to select a device optimized for their end application, thus enabling next generation consumer, computer and communication product designs. The Diodes portfolio is ideally suited to meeting the circuit requirements of DC-DC conversion, load switching, motor control, backlighting, battery protection, battery chargers, audio circuits, and automotive applications.