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VN10LPSTZ

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

621-VN10LPSTZ

Herst.- Nr.:

VN10LPSTZ

Herst.:

Diodes Incorporated

Beschreibung:

MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V EP3SC BULK 4K

Lebenszyklus:

End-of-Life-Produkt :

Gilt als veraltet und wurde vom Hersteller abgekündigt

Datenblatt:

VN10LPSTZ Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Versandmeldung:

Mouser verkauft dieses Produkt nicht in Ihre Region.

Verfügbarkeit

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Hersteller:	Diodes Incorporated
Produktkategorie:	MOSFETs
Versandbeschränkungen:	Mouser verkauft dieses Produkt nicht in Ihre Region.
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-92-3
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	60 V
Id - Drain-Gleichstrom:	270 mA
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	7.5 Ohms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	625 mW
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Bulk
Marke:	Diodes Incorporated
Konfiguration:	Single
Produkt-Typ:	MOSFETs
Verpackung ab Werk:	2000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Gewicht pro Stück:	453.600 mg

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Konformitätscodes

CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 8541210101
TARIC:: 8541210000
MXHTS:: 85412101
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: China
Herstellungsland:: Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:: Nicht lieferbar

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

Power MOSFETs

Diodes Incorporated offers a broad range of Power MOSFETs, enabling designers to select a device optimized for their end application, thus enabling next generation consumer, computer and communication product designs. The Diodes portfolio is ideally suited to meeting the circuit requirements of DC-DC conversion, load switching, motor control, backlighting, battery protection, battery chargers, audio circuits, and automotive applications.