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DIT090N06

Name: Diotec Semiconductor DIT090N06
Brand: Diotec Semiconductor
SKU: 637-DIT090N06
Price: 1.58 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

637-DIT090N06

Herst.- Nr.:

DIT090N06

Herst.:

Diotec Semiconductor

Beschreibung:

MOSFETs MOSFET, TO-220AB, 65V, 90A, 175C, N

Datenblatt:

DIT090N06 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Diotec Semiconductor
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-220-3
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	65 V
Id - Drain-Gleichstrom:	90 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	5.7 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2.9 V
Qg - Gate-Ladung:	94 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	160 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	DIT090N06
Verpackung:	Tube
Marke:	Diotec Semiconductor
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	13 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	50 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	11 ns
Serie:	DIT0/1
Verpackung ab Werk:	50
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	Power MOSFET
Regelabschaltverzögerungszeit:	65 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	26 ns
Gewicht pro Stück:	2.820 g

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Datenblatt

DIT090N06 Datenblatt (PDF)

Models

Full Material Declaration (PDF)

Konformitätscodes

USHTS:: 8541210095
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: China
Herstellungsland:: Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:: Nicht lieferbar

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

Advanced Trench Technology Power MOSFETs

Diotec Semiconductors Advanced Trench Technology Power MOSFETs feature low on-state resistance and fast switching time. These MOSFETs components are available in standard commercial/industrial grading. The power MOSFETs are offered as N, P, or dual N+P channel types in single, dual, and H bridge configurations. These MOSFETs offer a 100mA to 280A current range and a 20V to 250V voltage range.