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GS81314LD18GK-133

Name: GSI Technology GS81314LD18GK-133
Brand: GSI Technology
SKU: 464-GS81314LD18GK133
Price: 546.14 CHF
Availability: OutOfStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

464-GS81314LD18GK133

Herst.- Nr.:

GS81314LD18GK-133

Herst.:

GSI Technology

Beschreibung:

SRAM 1.2/1.25V 8M x 18 144M

Datenblatt:

GS81314LD18GK-133 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Hersteller:	GSI Technology
Produktkategorie:	SRAM
RoHS:
Speichergröße:	144 Mbit
Organisation:	8 M x 18
Maximale Taktfrequenz:	1.333 GHz
Schnittstellen-Typ:	Parallel
Versorgungsspannung - Max.:	1.35 V
Versorgungsspannung - Min.:	1.2 V
Versorgungsstrom - Max.:	2.7 A
Minimale Betriebstemperatur:	0 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 85 C
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	BGA-260
Verpackung:	Tray
Marke:	GSI Technology
Speichertyp:	QDR_IVe
Feuchtigkeitsempfindlich:	Yes
Produkt-Typ:	SRAM
Serie:	GS81314LD18GK
Verpackung ab Werk:	10
Unterkategorie:	Memory & Data Storage
Handelsname:	SigmaQuad-IVe
Typ:	SigmaQuad-IVe B4

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Datenblatt

GS81314LD18GK-133 Datenblatt (PDF)

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CNHTS:: 8542319090
CAHTS:: 8542320041
USHTS:: 8542320041
JPHTS:: 854232029
KRHTS:: 8542321020
TARIC:: 8542324500
MXHTS:: 8542320201
ECCN:: 3A991.b.2.b

Quad SRAMs

GSI Technology Quad SRAMs combine capacity and performance with the ability to transfer four beats of data (two beats per data bus) in a single clock cycle. SigmaQuad SRAMs are synchronous memories with separate read and write data buses with unequaled transaction rates by competitors.

SigmaQuad-IVe ECCRAMs

GSI Technology SigmaQuad-IVe ECCRAMs are the Separate I/O half of the SigmaQuad-IVe/SigmaDDR-IVe family of high performance ECCRAMs. The devices are similar to GSI's third generation of networking SRAMs but offer several new features that help enable significantly higher performance. GSI's ECCRAMs implement an ECC algorithm that detects and corrects all single-bit memory errors, including those induced by SER events. These events include cosmic rays, alpha particles, etc. The resulting Soft Error Rate of these devices is anticipated to be <0.002 FITs/Mb. A 5-order-of-magnitude improvement over comparable SRAMs with no on-chip ECC, which typically have an SER of 200FITs/Mb or more.