GS8160E18DGT-250I

GSI Technology
464-GS8160E18DGT250I
GS8160E18DGT-250I

Herst.:

Beschreibung:
SRAM 2.5 or 3.3V 1M x 18 18M

ECAD Model:
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1’008 Kostenvoranschlag

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GSI Technology
Produktkategorie: SRAM
RoHS:  
18 Mbit
1 M x 18
5.5 ns
250 MHz
Parallel
3.6 V
2.3 V
230 mA, 250 mA
- 40 C
+ 100 C
SMD/SMT
TQFP-100
Tray
Marke: GSI Technology
Speichertyp: SDR
Feuchtigkeitsempfindlich: Yes
Produkt-Typ: SRAM
Serie: GS8160E18DGT
Verpackung ab Werk: 36
Unterkategorie: Memory & Data Storage
Handelsname: SyncBurst
Typ: Pipeline/Flow Through
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Ausgewählte Attribute: 0

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Konformitätscodes
CNHTS:
8542319090
CAHTS:
8542320041
USHTS:
8542320041
JPHTS:
854232029
KRHTS:
8542321020
TARIC:
8542324500
MXHTS:
8542320201
ECCN:
3A991.b.2.b
Ursprungsklassifikationen
Ursprungsland:
Nicht lieferbar
Herstellungsland:
Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:
Nicht lieferbar
Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

SyncBurst SRAMs

Die SyncBurst SRAMs von GSI Technology gehören zu einem umfassenden Portfolio synchroner Burst-SRAMs (SyncBurst™) mit hoher Taktrate und geringer Leistungsaufnahme. SyncBurst SRAMs liefern einen „Burst“ von (typischerweise) 2 bis 4 Wörtern pro Taktsignal. Die vereinfachte Schnittstelle des Gerätes ist für die Nutzung der maximalen Bandbreite des Datenbus designt. SyncBurst SRAMs werden in Militär-, Netzwerk-, Industrie-, Automobil- und medizinischen Bildgebungsapplikationen verwendet, die eine mittlere Leistung voraussetzen.
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