IS66WVE4M16EBLL-70BLI-TR

ISSI
870-6E4M16EBLL70BLIT
IS66WVE4M16EBLL-70BLI-TR

Herst.:

Beschreibung:
SRAM 64Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page, 4M x 16,70ns,VDD 2.7V 3.6V, VDDQ 2.7V 3.6V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS

ECAD Model:
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Preis (CHF)

Menge Stückpreis
Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™
CHF 6.37 CHF 6.37
CHF 5.93 CHF 59.30
CHF 5.75 CHF 143.75
CHF 5.49 CHF 274.50
CHF 5.36 CHF 536.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2500)
CHF 5.36 CHF 13’400.00
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Alternativverpackung

Herst. Teilenr.:
Verpackung:
Tray
Verfügbarkeit:
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Preis:
CHF 5.26
Min:
1

Produktattribut Attributwert Attribut auswählen
ISSI
Produktkategorie: SRAM
RoHS:  
64 Mbit
4 M x 16
70 ns
Parallel
3.6 V
2.7 V
30 mA
- 40 C
+ 85 C
SMD/SMT
TFBGA-48
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marke: ISSI
Speichertyp: SDR
Feuchtigkeitsempfindlich: Yes
Produkt-Typ: SRAM
Serie: IS66WVE4M16EBLL
Verpackung ab Werk: 2500
Unterkategorie: Memory & Data Storage
Typ: Asynchronous
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Ausgewählte Attribute: 0

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Konformitätscodes
CNHTS:
8542329010
CAHTS:
8542320020
USHTS:
8542320002
JPHTS:
854232021
KRHTS:
8542321010
TARIC:
8542324500
MXHTS:
8542320299
ECCN:
EAR99
Ursprungsklassifikationen
Ursprungsland:
Taiwan
Herstellungsland:
Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:
Taiwan
Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

Pseudo SRAM/CellularRAM

ISSI Pseudo SRAM/CellularRAM Devices offer the best of both DRAM and SRAM features. ISSI PSRAM/CellularRAM has an SRAM-like architecture. Unlike DRAM, there is a hidden re-fresh feature that does not require a physical refresh. These CellularRAM devices are designed in accordance with the CellularRAM standards and are available in CRAM 1.5 and CRAM 2.0.