IXZ308N120

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

747-IXZ308N120

Herst.- Nr.:

IXZ308N120

Herst.:

IXYS Integrated Circuits

Lebenszyklus:

abgekündigt

Datenblatt:

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

Mehr über

Versandmeldung:

Mouser verkauft dieses Produkt nicht in Ihre Region.

Lagerbestand:: Ein unerwarteter Fehler ist aufgetreten. Bitte versuchen Sie es später noch einmal.

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	IXYS
Produktkategorie:	MOSFET HF-Transistoren
Versandbeschränkungen:	Mouser verkauft dieses Produkt nicht in Ihre Region.
RoHS:
Transistorpolung:	N-Channel
Technologie:	Si
Id - Drain-Gleichstrom:	8 A
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	1.2 kV
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	2.1 Ohms
Ausgangsleistung:	880 W
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	SMD-6
Verpackung:	Tube
Marke:	IXYS Integrated Circuits
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	10.1 S
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Produkt-Typ:	RF MOSFET Transistors
Serie:	IXZ308
Verpackung ab Werk:	25
Unterkategorie:	MOSFETs
Typ:	RF Power MOSFET
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, + 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	3.5 V