LF2190NTR

IXYS Integrated Circuits
747-LF2190NTR
LF2190NTR

Herst.:

Beschreibung:
Gate-Treiber HI LO Side DRVR 3.5A SOIC(N)-8

ECAD Model:
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Gehäuse:
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2500)

Preis (CHF)

Menge Stückpreis
Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™
CHF 1.80 CHF 1.80
CHF 1.33 CHF 13.30
CHF 1.22 CHF 30.50
CHF 1.09 CHF 109.00
CHF 1.02 CHF 255.00
CHF 0.996 CHF 498.00
CHF 0.968 CHF 968.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2500)
CHF 0.959 CHF 2’397.50
† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von CHF 7.00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden.

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IXYS
Produktkategorie: Gate-Treiber
RoHS:  
Driver ICs - Various
High-Side, Low-Side
SMD/SMT
SOIC-8
1 Driver
2 Output
10 V
20 V
25 ns
20 ns
- 40 C
+ 125 C
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marke: IXYS Integrated Circuits
Logiktyp: CMOS, TTL
Maximale Abschaltverzögerungszeit: 200 ns
Maximale Anschaltverzögerungszeit: 200 ns
Feuchtigkeitsempfindlich: Yes
Betriebsversorgungsstrom: 75 uA
Pd - Verlustleistung: 625 mW
Produkt-Typ: Gate Drivers
Verzögerungszeit - Max.: 50 ns
Verpackung ab Werk: 2500
Unterkategorie: PMIC - Power Management ICs
Technologie: Si
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Ausgewählte Attribute: 0

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Konformitätscodes
CNHTS:
8542399000
TARIC:
8542399000
USHTS:
8542390090
ECCN:
EAR99
Ursprungsklassifikationen
Ursprungsland:
China
Herstellungsland:
Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:
Nicht lieferbar
Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

High-Side- und Low-Side-Gate-Treiber-ICs

IXYS High-Side- und Low-Side-Gate-Treiber-ICs bieten eine Senken-/Quellen-Ausgangsstrombelastbarkeit von 600 mA/290 mA bis 4,5 A/4,5 A. Die Bauteile verfügen über einen großen Betriebsspannungsbereich von 10 V bis 20 V. Zu den Schutzfunktionen gehören Unterspannungssperre (UVLO) und Durchzündungsschutz. Die High-Side- und Low-Side-Gate-Treiber-ICs von IXYS werden von -40 °C bis +125 °C betrieben und sind in SOIC-8-, -14-, -16-Industriestandard-Gehäusen und Pinbelegungen verfügbar.

Gate-Treiber für N-Kanal-MOSFETs und IGBTs

Die Gate-Treiber für N-Kanal-MOSFETs und IGBTs von IXYS umfassen Hochspannungs-Gate-Treiber mit hoher Geschwindigkeit und dreiphasige Gate-Treiber-ICs. Diese Bauteile sind für die Ansteuerung von zwei N-Kanal-MOSFETs oder IGBTs in einer Halbbrückenkonfiguration oder High-Side/Low-Side-Konfiguration ausgelegt. Die Hochspannungstechnologie ermöglicht es, die Hochspannungsseite im Bootstrap-Betrieb auf 600 V zu schalten. Die Treiber bieten Puffer mit hohem Impulsstrom, die für minimale Treiber-Querströme ausgelegt sind. Zu den weiteren Merkmalen gehören Logikschaltungen mit 3,3-V-Fähigkeit, Schmitt-getriggerte Logikeingänge und UVLO-Schutz (Unterspannungssperre). Die Gate-Treiber für N-Kanal-MOSFETs und IGBTs von IXYS arbeiten über einen erweiterten Temperaturbereich von -40 °C bis +125 °C.