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IXFH12N80P

Name: IXYS IXFH12N80P
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFH12N80P
Price: 4.28 CHF
Availability: OutOfStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

747-IXFH12N80P

Herst.- Nr.:

IXFH12N80P

Herst.:

IXYS

Datenblatt:

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Hersteller:	IXYS
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-247-3
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	800 V
Id - Drain-Gleichstrom:	12 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	850 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 30 V, 30 V
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	360 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	HiPerFET
Verpackung:	Tube
Marke:	IXYS
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	KR
Abfallzeit:	25 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	18 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	26 ns
Serie:	IXFH12N80
Verpackung ab Werk:	30
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	70 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	23 ns
Gewicht pro Stück:	6 g