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IXFH69N30P

Name: IXYS IXFH69N30P
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFH69N30P
Price: 12.78 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

747-IXFH69N30P

Herst.- Nr.:

IXFH69N30P

Herst.:

IXYS

Beschreibung:

MOSFETs 69 Amps 300V 0.049 Rds

Datenblatt:

IXFH69N30P Datenblatt

ECAD Model:

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	IXYS
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-247-3
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	300 V
Id - Drain-Gleichstrom:	69 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	49 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	5 V
Qg - Gate-Ladung:	156 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	500 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	HiPerFET
Verpackung:	Tube
Marke:	IXYS
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	27 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	30 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	25 ns
Serie:	IXFH69N30
Verpackung ab Werk:	30
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	75 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	25 ns
Gewicht pro Stück:	6 g

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Datenblatt

IXFH69N30P Datenblatt

PCN

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Konformitätscodes

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541500000
MXHTS:: 85415001
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: Korea, Republik von
Herstellungsland:: Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:: Nicht lieferbar

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

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