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IXFK32N90P

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

747-IXFK32N90P

Herst.- Nr.:

IXFK32N90P

Herst.:

IXYS

Beschreibung:

MOSFETs Polar HiPerFETs MOSFET w/Fast Diode

Datenblatt:

IXFK32N90P Datenblatt

ECAD Model:

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Hersteller:	IXYS
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-264-3
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	900 V
Id - Drain-Gleichstrom:	32 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	300 mOhms
Handelsname:	HiPerFET
Verpackung:	Tube
Marke:	IXYS
Konfiguration:	Single
Produkt-Typ:	MOSFETs
Serie:	IXFK32N90
Verpackung ab Werk:	25
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Gewicht pro Stück:	10 g

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Datenblatt

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CNHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541500000
MXHTS:: 85415001
BRHTS:: 85415020
ECCN:: EAR99

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