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IXFK34N80

Name: IXYS IXFK34N80
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFK34N80
Price: 18.59 CHF
Availability: Discontinued

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

747-IXFK34N80

Herst.- Nr.:

IXFK34N80

Herst.:

IXYS

Beschreibung:

MOSFETs 800V 34A

Lebenszyklus:

NRND:

Nicht empfohlen für neue Designs.

Datenblatt:

IXFK34N80 Datenblatt

ECAD Model:

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	IXYS
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-264-3
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	800 V
Id - Drain-Gleichstrom:	34 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	240 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	5 V
Qg - Gate-Ladung:	270 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	560 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	HyperFET
Verpackung:	Tube
Marke:	IXYS
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	40 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	35 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	45 ns
Serie:	HiPerFET
Verpackung ab Werk:	25
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	100 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	45 ns
Gewicht pro Stück:	10 g

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Datenblatt

IXFK34N80 Datenblatt

PCN

Product Change Notification (PDF)

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Konformitätscodes

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541100000
MXHTS:: 8541100101
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: Korea, Republik von
Herstellungsland:: Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:: Nicht lieferbar

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

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