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IXFL32N120P

Name: IXYS IXFL32N120P
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFL32N120P
Price: 45.92 CHF
Availability: OutOfStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

747-IXFL32N120P

Herst.- Nr.:

IXFL32N120P

Herst.:

IXYS

Beschreibung:

MOSFETs 32 Amps 1200V

Datenblatt:

IXFL32N120P Datenblatt

ECAD Model:

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Hersteller:	IXYS
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-264-3
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	1.2 kV
Id - Drain-Gleichstrom:	24 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	340 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 30 V, 30 V
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	520 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	HiPerFET
Verpackung:	Tube
Marke:	IXYS
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	51 ns
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	62 ns
Serie:	IXFL32N120
Verpackung ab Werk:	25
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	88 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	70 ns
Gewicht pro Stück:	10 g

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Datenblatt

IXFL32N120P Datenblatt

PCN

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Konformitätscodes

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541500000
MXHTS:: 85415001
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: Philippinen
Herstellungsland:: Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:: Nicht lieferbar

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

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